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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] | VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
| HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2018-07-26 14:10 |
北海道 | 札幌コンベンションセンター | Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias ○Xuanhao Zhang・Xiang Chen・Hanfeng Sun・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 |
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] | ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 pp.333-336 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 10:55 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化 ○川瀬大樹・奥原 颯・天野英晴（慶大） VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 |
極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxid... [more] | VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 pp.191-196 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2012-11-26 16:00 |
福岡 | 九州大学百年講堂 | ランダム・テレグラフ・ノイズに起因した組合せ回路遅延ゆらぎに対する基板バイアスの影響 ○松本高士（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） VLD2012-70 DC2012-36 |
近年のLSI素子の微細化により、NBTIおよび、RTNなどのゲート絶縁膜の信頼性が回路の信頼性に与える影響がますます深刻... [more] | VLD2012-70 DC2012-36 pp.63-68 |
| VLD | 2012-03-07 16:05 |
大分 | ビーコンプラザ | パワースイッチの基板電圧選択制御によるサブスレッショルド回路のリークエネルギー低減化 ○三橋 遼・工藤 優・太田雄也・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2011-144 |
リークエネルギーを低減する技術の一つであるパワーゲーティング(PG)は、挿入するパワースイッチ(PS)の閾値にリークエネ... [more] | VLD2011-144 pp.145-150 |
| ICD | 2008-12-12 16:35 |
東京 | 東工大（大岡山）国際交流会館 | [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案 ○鹿嶋一生・鈴木弘明・栗本昌憲（ルネサステクノロジ）・山中唯生（ルネサスデザイン）・高田英裕（ルネサステクノロジ）・牧野博之（阪工大）・篠原尋史（ルネサステクノロジ） ICD2008-128 |
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] | ICD2008-128 pp.137-142 |
| ICD | 2005-12-16 11:40 |
高知 | 高知工科大 | 電荷再利用型動的ボディ電位制御によるSOI-CMOSの高速化手法 ○北村雅之・飯島正章・濱田健司・沼 昌宏（神戸大）・野谷宏美・多田 章・前川繁登（ルネサステクノロジ） |
本稿では，SOIデバイスの特徴を生かし，トランジスタのボディ電位を動的に制御することで，リーク電流を増加させずに高速化を... [more] | ICD2005-198 pp.37-42 |
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