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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎（熊本高専）  SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非... [more] | SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
| CPM | 2018-08-10 11:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴（弘前大） CPM2018-18 |
20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] | CPM2018-18 pp.47-52 |
| ED | 2016-10-25 14:40 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2016-46 |
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] | ED2016-46 pp.13-15 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 ○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2016-8 OME2016-8 |
シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] | SDM2016-8 OME2016-8 pp.31-34 |
| OFT, PEM (併催) |
2015-05-21 14:25 |
石川 | 金沢勤労者プラザ | 耐リフロー性を有する樹脂レンズの10G伝送特性：射出成形により構成された耐熱樹脂レンズ ○島津貴之・春本道子・佐野知巳（住友電工）・渡邊卓郎（日本通信電材）・岡部昭平・片山浩二（住友電工ファインポリマー）・山崎 智・西川信也（住友電工） OFT2015-4 |
汎用の射出成形により形成された光学樹脂レンズは、生産性やコストメリットに利点を有しており、多くの光学製品に広く使用されて... [more] | OFT2015-4 pp.17-20 |
| ED | 2014-10-22 09:25 |
北海道 | 北大エンレイソウ | シリコンフィールドエミッタの光照射効果 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2014-69 |
微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射... [more] | ED2014-69 pp.35-38 |
| ED | 2013-10-23 09:00 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | シリコン冷陰極からの光支援による電子放射 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）・吉田知也・長尾昌善（産総研） ED2013-57 |
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン（nc-Si... [more] | ED2013-57 pp.29-32 |
| ED | 2012-11-20 09:55 |
大阪 | 阪大中之島センター | nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2012-61 |
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] | ED2012-61 pp.37-40 |
| ED | 2011-10-21 09:00 |
青森 | 八戸ポータルミュージアム はっち | nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射 ○嶋脇秀隆・山崎勇人（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2011-66 |
He-Neレーザ（出力1 mW、波長633 nm）をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、... [more] | ED2011-66 pp.33-36 |
| SDM | 2010-12-17 15:10 |
京都 | 京都大学(桂) | 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 ○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大） SDM2010-197 |
n-オクタンから生成したC$_{3}$H$_{7}^{+}$およびC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 多原子分子イオ... [more] | SDM2010-197 pp.69-72 |
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