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 50件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
14:30
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]ノーマリーオフコンピューティングに向けたData Aware Storeアーキテクチャを持つ40nm 2kb不揮発性SRAMマクロ
鈴木健太平賀啓三別所和宏ソニー)・宇佐美公良芝浦工大)・梅林 拓ソニーICD2024-7
本論文ではノーマリーオフコンピューティングに向けたData Aware Store (DAS)アーキテクチャを持つMTJ... [more] ICD2024-7
pp.20-23
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-16
09:55
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
入力デコーダを使用したMTJ-PUFの提案と機械学習耐性の評価
菊地 拓宇佐美公良芝浦工大VLD2023-44 ICD2023-52 DC2023-51 RECONF2023-47
LSIの個体認証技術の1つであるPUF(Physically Unclonable Function)は、機械学習(ML... [more] VLD2023-44 ICD2023-52 DC2023-51 RECONF2023-47
pp.82-87
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-16
10:20
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
参照抵抗を用いて2段階ストア制御を行うMTJベース不揮発性フリップフロップの提案
海津康生宇佐美公良芝浦工大VLD2023-45 ICD2023-53 DC2023-52 RECONF2023-48
磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction:MTJ)素子を用いた不揮発性フリップフロップ(Non... [more] VLD2023-45 ICD2023-53 DC2023-52 RECONF2023-48
pp.88-93
ICD 2023-04-11
16:05
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[基調講演]スピントロニクス省電力半導体によるゲームチェンジと、カーボンニュートラル社会への貢献 ~ STT/SOT-MRAMからIoT/AIプロセッサーへの展開 ~
遠藤哲郎東北大ICD2023-13
 [more] ICD2023-13
p.30
SDM 2023-01-30
14:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ
本庄弘明西岡浩一三浦貞彦・○永沼 博渡辺俊成那須野 孝谷川高穂野口靖夫井上博文安平光雄池田正二遠藤哲郎東北大SDM2022-81
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] SDM2022-81
pp.9-12
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2022-11-30
09:55
熊本 金沢市文化ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
MTJベース不揮発性フリップフロップの最適ストア時間に関する解析式の提案
横山大輝宇佐美公良芝浦工大)・亀井愛佳天野英晴慶大VLD2022-39 ICD2022-56 DC2022-55 RECONF2022-62
LSIは微細化により発展したが、それによるリーク電力の増加が問題となっている。リーク電力を低減させる手法の一つとして、磁... [more] VLD2022-39 ICD2022-56 DC2022-55 RECONF2022-62
pp.115-120
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-07
14:30
ONLINE オンライン開催 Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-86 HWS2021-63
磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM:Non... [more] VLD2021-86 HWS2021-63
pp.51-56
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
10:10
ONLINE オンライン開催 データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
近年、LSIのリーク電力の増大が問題となっており、その削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tu... [more] VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
pp.13-18
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:00
ONLINE オンライン開催 不揮発フリップフロップを利用した個体認証技術PUFの検討とモデル化攻撃への耐性評価
石原浩樹宇佐美公良芝浦工大VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56
近年、LSIの模造品が問題となっており、LSIの製造ばらつきを利用したセキュリティ技術としてPUFが盛んに研究されている... [more] VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56
pp.139-144
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:25
ONLINE オンライン開催 Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法
小野義基宇佐美公良芝浦工大VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
pp.145-150
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2020-03-04
13:00
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行あり)
2電源を用いた不揮発性フリップフロップの提案と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2019-99 HWS2019-72
LSIのリーク電力削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利... [more] VLD2019-99 HWS2019-72
pp.31-36
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-05
11:00
広島 サテライトキャンパスひろしま [基調講演]ポストCMOS回路技術が拓くAIハードウェアの挑戦
羽生貴弘東北大
人工知能(Artificial Intelligence; AI)は,近年,その有用性がさまざまな応用分野で認識されつつ... [more]
RECONF 2018-05-25
10:35
東京 ゲートシティ大崎 B1ルームD MTJベース多機能不揮発Lookup Table回路の設計
鈴木大輔岡 貴弘羽生貴弘東北大RECONF2018-12
本稿では,Magnetic Tunnel Junction (MTJ) 素子を用いた多機能なLookup Table (... [more] RECONF2018-12
pp.59-64
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2018-05-16
15:00
福岡 北九州国際会議場 データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2018-2
近年,CPU全体の消費エネルギーにおいて,キャッシュメモリの消費エネルギーが占める割合が増大している.不揮発性パワーゲー... [more] VLD2018-2
pp.19-24
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価
赤池純也宇佐美公良工藤 優芝浦工大)・天野英晴池添赳治慶大)・平賀啓三周藤悠介屋上公二郎ソニーセミコンダクタソリューションズVLD2017-122
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] VLD2017-122
pp.199-204
ICD 2017-04-20
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希安部恵子藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大ICD2017-2
 [more] ICD2017-2
pp.5-9
VLD 2017-03-01
14:00
沖縄 沖縄県青年会館 不揮発性キャッシュの細粒度パワーゲーティングとMTJ記憶領域の動的選択制御
榎戸将太宇佐美公良芝浦工大VLD2016-102
不揮発性素子MTJをSRAMに組み込み、キャッシュに適用して、データを保持しつつリーク電力を低減させる不揮発性パワーゲー... [more] VLD2016-102
pp.1-6
SDM 2017-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用
塩田陽一産総研)・野口紘希池上一隆安部恵子藤田 忍東芝)・野崎隆行湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大SDM2016-135
電圧トルク MRAM は、電圧パルスによる磁化反転を書き込み原理に利用する MRAM である。磁化反 転に電流を必要とせ... [more] SDM2016-135
pp.21-24
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
10:15
神奈川 慶大日吉キャンパス Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価
赤池純也宇佐美公良芝浦工大VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
pp.175-180
VLD, CAS, MSS, SIP
(共催)
2016-06-17
09:30
青森 弘前市立観光館 MTJを用いた不揮発性キャッシュの消費エネルギー削減における記憶領域選択方法の検討
深澤高雅宇佐美公良芝浦工大CAS2016-18 VLD2016-24 SIP2016-52 MSS2016-18
キャッシュの消費エネルギーを抑えるため、リーク電力を抑えるパワーゲーティング(PG)と不揮発性素子MTJを用いてキャッシ... [more] CAS2016-18 VLD2016-24 SIP2016-52 MSS2016-18
pp.97-102
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