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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2024-01-16 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
[more] | OME2023-80 pp.13-17 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SID-JC (共催) ITE-IDY, EID (連催) [詳細] |
2019-08-02 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］フォルダブルディスプレイ用金属配線材料の特性評価 ○倉 千晴・寺前裕美・田内裕基（神戸製鋼所）・後藤裕史・奥野博行（コベルコ科研） |
フレキシブルディスプレイは従来のフラットパネルディスプレイに対し、薄くて軽い、柔軟であるなどの特徴をもち、将来的に需要が... [more] | |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
| SDM | 2015-06-19 16:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 ○野内 亮（阪府大） SDM2015-54 |
二層グラフェンは層間ポテンシャル差の導入によりバンドギャップが形成されるため，高い電荷キャリア易動度と相まって，スイッチ... [more] | SDM2015-54 pp.87-92 |
| OME | 2014-12-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ピリジル系酸素還元触媒の塩基性電解液中における酸素還元および酸素発生反応の電位依存性 ○高橋勝國・城石英伸（東京高専）・鈴木啓志・齋藤守弘（東京農工大）・田中優実（東京理科大） OME2014-72 |
1,10-フェナントロリンを配位子とする鉄・コバルト錯体を多層カーボンナノチューブに担持しアンモニア気流下で熱処理するこ... [more] | OME2014-72 pp.37-40 |
| OME | 2013-12-17 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ピリジル系鉄コバルト錯体を前駆体とした酸素還元触媒の有効窒素化学種の解析 ○高橋勝国・城石英伸（東京高専）・齋藤守弘・田中優実（東京理科大） OME2013-78 |
2,2’-ビピリジン，1,10-フェナントロリンを配位子とする鉄・コバルト錯体を多層カーボンナノチューブに担持しアンモニ... [more] | OME2013-78 pp.7-12 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| ED | 2010-06-18 11:50 |
石川 | 北陸先端大 | ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ○渡辺大祐（ダイキン工業）・木村千春・青木秀充（阪大） ED2010-46 |
次世代の高誘電率材料（High-K）ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造（High-K/メタルゲート構造） における H... [more] | ED2010-46 pp.69-74 |
| SDM | 2009-11-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149 |
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] | SDM2009-149 pp.79-84 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| SDM | 2009-10-30 14:00 |
宮城 | 東北大学 | 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 ○永島幸延・赤堀浩史（東芝） SDM2009-131 |
現在、MOSトランジスタにおいて、微細化が進むにつれて低抵抗電極材として、メタルゲートの利用が注目されている。メタルゲー... [more] | SDM2009-131 pp.63-67 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| OME | 2008-11-07 14:40 |
長野 | セイコーエプソン(株) | 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性 ○渡邊康之（千葉大）・家地洋之（リコー）・浦 方華・山内 博・工藤一浩（千葉大） OME2008-62 |
縦型構造を有する有機静電誘導トランジスタ（有機SIT）は、チャネル長が膜厚に相当し、短チャネル化が容易であるため、低電圧... [more] | OME2008-62 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 10:20 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 ○小山正人・小池正浩・上牟田雄一・鈴木正道・辰村光介・土屋義規・市原玲華・後藤正和・長友浩二・東 篤志・川中 繁・中嶋一明・関根克行（東芝） SDM2007-159 ICD2007-87 |
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] | SDM2007-159 ICD2007-87 pp.101-106 |
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