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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
13:45
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
sol-gel法を用いたMgSnO薄膜作製およびSnS/MgSnO薄膜太陽電池への応用
稲垣賢吾高野 泰塩田馨音静岡大ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65
FTO基板上に、sol-gel(ゾルゲル)法で酸化マグネシウムスズ(以下MTO)薄膜を作製した。その上に、真空蒸着法でS... [more] ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65
pp.40-44
CPM 2022-03-01
15:40
ONLINE オンライン開催 SnS光吸収層とMgSnOバッファ層を用いた薄膜太陽電池
稲垣賢吾高野 泰水野智史静岡大CPM2021-80
FTO上にsol-gel(ゾルゲル)法で酸化マグネシウムスズ(以下MTO)薄膜を作製した。その上に、真空蒸着法で硫化スズ... [more] CPM2021-80
pp.31-35
EMD 2020-03-06
13:05
千葉 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館1F 612講義室
(開催中止,技報発行あり)
電気摺動接触機構における固体潤滑剤の効果
緒方 翔川島優樹飯塚達郎渡辺克忠澤 孝一郎上野貴博日本工大EMD2019-59
電気摺動接触機構は,電気鉄道のパンタグラフとトロリー線,ブラシ-スリップリングなど物体を摺動させながら通電する機構であり... [more] EMD2019-59
pp.1-4
EMD 2020-01-17
14:30
神奈川 レンタルホール湘南平塚 二硫化モリブデンショット処理による銅接点の摺動特性
飯塚達郎川島優樹緒方 翔渡辺克忠上野貴博澤 孝一郎日本工大EMD2019-49
電気摺動接触機構は,静止物体から移動物体へ通電を行う機構であり,電気鉄道のパンタグラフとトロリー線,電動機におけるブラシ... [more] EMD2019-49
pp.7-10
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
10:15
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
奥野剛史中川康弘志村佳熙電通大)・七井 靖青学大)・佐藤義孝御園生敏行双葉電子工業EID2018-12
電子線によって励起されうる新規硫化物蛍光体の開発を行っている.真空下または硫黄蒸気下の両方で,固相反応による試料作製を行... [more] EID2018-12
pp.89-92
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
10:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 SnSとMgSnOを用いた薄膜太陽電池の作製
小柳津和成・○高野 泰静岡大CPM2018-48
SnSは太陽電池の吸収層材料として有望である。SnS太陽電池のSnSに対するバァッファー層としてMgSnO層を検討した。... [more] CPM2018-48
pp.61-64
EMD 2018-03-02
16:20
埼玉 日本工業大学 低速摺動試験における二硫化モリブデンの特性
新垣俊哉大塚智晴渡辺克忠澤 孝一郎上野貴博日本工大EMD2017-68
電気摺動接触は,小型のモータから電気鉄道,人工衛星にも関係する大きな研究課題である. 摺動接触の駆動部分では摩擦・摩耗が... [more] EMD2017-68
pp.49-52
CPM 2016-11-18
13:50
石川 金沢工大 扇が丘キャンパス MicroWaveを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製
早川 諒高野 泰石田明広静岡大CPM2016-62
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン(TEA)、チオア... [more] CPM2016-62
pp.5-10
SDM 2016-06-29
16:20
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
川那子高暢小田俊理東工大SDM2016-45
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] SDM2016-45
pp.69-74
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大SDM2016-46
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-20
09:30
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積
神田祐作高野 泰石田明広静岡大ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26
溶液成長法によりスライドガラス上にSnS薄膜を堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)... [more] ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26
pp.39-42
CPM 2015-08-10
15:00
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 フローセルを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製
早川 諒高野 泰石田明広静岡大CPM2015-35
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] CPM2015-35
pp.19-22
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
10:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係
鈴木大司・○高野 泰石田明広静岡大ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34
pp.81-84
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
09:56
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 Eu3+を付活したIIIa-O-VIIb-S(IIIa=La,Gd、VIIb=F,Cl)赤色蛍光体
景山洋至岡田将大石垣 雅大観光徳鳥取大)・吉松 良電気化学EID2014-49
酸化フッ化硫化物系母体材料におけるアニオン元素の組み合わせにより、Eu3+の電荷移動状態 (CTS) 励起帯の制御を検討... [more] EID2014-49
pp.75-78
CPM 2014-10-24
16:20
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積
山中雄貴兼森遥平・○高野 泰石田明広静岡大CPM2014-110
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセン、トリ エタノールアミン、チオアセトア... [more] CPM2014-110
pp.29-32
CPM 2014-09-04
14:45
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 溶液成長法によるSnSの堆積条件
山中雄貴兼森遥平・○高野 泰静岡大CPM2014-78
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタ ノールアミン、チオアセトアミ... [more] CPM2014-78
pp.17-20
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
15:15
愛知 名古屋大学VBL3階 溶液成長法によるSnS薄膜堆積
山中雄貴・○高野 泰静岡大ED2014-43 CPM2014-26 SDM2014-41
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタ ノールアミン、チオアセトアミ... [more] ED2014-43 CPM2014-26 SDM2014-41
pp.125-128
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-14
15:50
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications
Asraf M. Abdel HaleemMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13
pp.25-30
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
13:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Electrochemical deposition of indium sulfide thin films by periodic pulse-form biasing and their characterization
Ashraf Mohamed Abdel HaleemMasaya IchimuraNagoya Inst. Technol.
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