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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2019-04-18
13:25
宮城 東北大・通研 室温原子層堆積法を用いたZnO薄膜の特性評価
吉田一樹齋藤健太郎三浦正範鹿又健作廣瀬文彦山形大ED2019-2
酸化亜鉛(ZnO)は低コスト、ワイドバンドギャップ、高い可視光透過性、無毒といった特徴を持つ。このため透明導電膜、UVセ... [more] ED2019-2
pp.5-8
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
11:00
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 [ポスター講演]透過型エリプソメトリーによるフレクソエレクトリック係数測定の改善
大西 仰木村宗弘長岡技科大EID2018-18
ネマチック液晶の配向に広がりや曲げの歪みが与えられると生じる分極効果をフレクソエレクトリック効果と呼ぶ。これまでにいくつ... [more] EID2018-18
pp.117-120
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
11:05
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 [ポスター講演]光配向膜における方位角/極角アンカリングエネルギーのUV照射エネルギー依存性測定
齋藤賢也木村宗弘長岡技科大EID2018-19
アンカリングエネルギーは配向規制力の強さを表す指標であり, 液晶の配向制御において重要なパラメータであることから, 本研... [more] EID2018-19
pp.121-124
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
14:40
京都 京大桂キャンパス テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価
藤井高志立命館大/PNP)・達 紘平荒木 努名西やすし立命館大)・岩本敏志佐藤幸徳PNP)・長島 健摂南大ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94
多くの 無機半導体中電子の散乱時間(τ)は、おおよそ0.1psecオーダーである。そのため、複素導電率のTHz周波数帯で... [more] ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94
pp.103-106
SDM 2016-01-22
11:35
東京 東京大学 山上会館 BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ
川上達也近藤英一渡邉満洋山梨大)・濱田聡美嶋 昇平檜山浩國荏原製作所SDM2015-111
Cu CMP中に,Cu表面は酸化剤又は錯化剤によって酸化されている.酸化の抑制のため,腐食防止剤がスラリー中に共添加され... [more] SDM2015-111
pp.13-15
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
11:00
京都 京都大学 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果
竹内光明林 恭平龍頭啓充高岡義寛京大)・永山 勉松田耕自日新イオン機器EID2014-17 SDM2014-112
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] EID2014-17 SDM2014-112
pp.21-24
OME, IEE-DEI
(連催)
2014-07-10
16:40
長野 信州大学繊維学部 電気光学ポリマーの電気光学定数の評価のための簡便で信頼性のあるアパチャーなしの透過型エリプソメトリー法の開発
山田俊樹大友 明NICTOME2014-35
近年、電気光学ポリマーは超高速光変調器や光スイッチ、デジタルシグナル伝送、電界センサーなど様々な応用が期待されている。熱... [more] OME2014-35
pp.39-44
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
11:22
新潟 新潟大学 駅南キャンパス SOITE法を用いたフレクソエレクトリック係数の評価
渡辺大樹長岡技科大)・高橋泰樹工学院大)・木村宗弘赤羽正志長岡技科大EID2013-31
液晶は、広がりや曲がりの配向歪を与えると電気分極が発生する。この現象をフレクソエレクトリック効果と呼ぶ。フレクソエレクト... [more] EID2013-31
pp.125-128
OME 2011-12-21
13:55
東京 機械振興会館 静電塗布法による有機薄膜成長過程の実時間その場診断
日當大我猪野智久福田武司上野啓司白井 肇埼玉大OME2011-68
静電塗布(ESD)法によるPEDOT:PSS製膜初期過程を分光エリプソメトリーによる実時間その場計測により評価した。70... [more] OME2011-68
pp.11-16
CPM 2010-07-29
15:50
北海道 道の駅しゃり 会議室 [招待講演]超臨界流体を用いた多孔質低誘電率薄膜プロセス ~ 細孔の評価と洗浄 ~
近藤英一山梨大CPM2010-35
超臨界二酸化炭素は,ナノレベルの浸透性,表面張力がゼロ,溶媒能などをあわせ持つ特異な流体である.これらの特長は多孔質低誘... [more] CPM2010-35
pp.23-28
ED 2010-04-22
10:50
山形 伝国の杜(米沢) 非晶質膜内の分子配向と有機ELの素子特性
横山大輔山形大)・安達千波矢九大)・城戸淳二山形大ED2010-3
有機EL素子において一般的に用いられる有機非晶質膜に焦点を当て、その膜中における分子配向が有機EL素子の電荷輸送特性に与... [more] ED2010-3
pp.7-10
EMD, R
(共催)
2010-02-19
15:45
大阪 パナソニック「松心会館」 錫(Sn)めっきコネクタの接触面に大気中高温下で成長する酸化皮膜の物理的特徴とその接触抵抗への影響
鍋田佑也澤田 滋齋藤 寧三重大)・清水 敦服部康弘オートネットワーク技研)・玉井輝雄三重大R2009-57 EMD2009-124
コネクタ等の接触部に用いられる錫めっき表面は錫の酸化皮膜で常に覆われ、大気中の気体を遮断し、耐食性を持たせる特徴がある。... [more] R2009-57 EMD2009-124
pp.43-48
EMD 2009-11-20
14:50
東京 日本工業大学 神田キャンパス Growth of oxide film on tin plated surface of connector contacts and it effect on contact resistance
Yuya NabetaYasushi SaitohShigeru SawadaMie Univ.)・Yasuhiro HattoriANTech)・Terutaka TamaiMie Univ.EMD2009-100
 [more] EMD2009-100
pp.133-136
OME, EID
(共催)
2009-03-06
15:15
東京 機械振興会館 アモルファス性有機半導体膜内における分子配向
横山大輔九大)・坂口明生鈴木道夫ジェー・エー・ウーラム・ジャパン)・安達千波矢九大EID2008-88 OME2008-99
従来、低分子有機アモルファス膜は光学的に等方的であり、その膜中で分子は三次元的にランダムに配向していると考えられてきた。... [more] EID2008-88 OME2008-99
pp.27-32
EMD 2009-03-06
16:35
東京 工学院大学 錫(Sn)めっき接触面での酸化皮膜の成長と接触抵抗特性 ~ エリプソメトリによる研究 ~
鍋田佑也玉井輝雄斉藤 寧澤田 滋飯田和生三重大)・服部康博オートネットワーク技研EMD2008-146
錫(Sn)めっきはコネクタ等の接触部に広く用いられ、金(Au)めっきと共に有効利用されている。しかし、Auめっきとは本質... [more] EMD2008-146
pp.49-52
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
17:10
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing
Takashi NoguchiUniversity of the Ryukyus
微細な高性MOS FETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ド... [more]
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