Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2007-222
パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上
○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器）
pp. 1 - 4
SDM2007-223
半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成
○鮫島俊之（東京農工大）・佐野直樹（ハイテックシステムズ）・内藤勝男（日新イオン機器）
pp. 5 - 8
SDM2007-224
レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果
高梨泰幸・○松尾直人・上拾石和也・部家 彰・天野 壮・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大）
pp. 9 - 13
SDM2007-225
Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析
○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
pp. 15 - 18
SDM2007-226
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性
○鈴木亮太・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 19 - 22
SDM2007-227
Effective Activation of Phosphorus atom in Si film using ELA
○Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus）
pp. 23 - 26
SDM2007-228
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大）
pp. 27 - 29
SDM2007-229
光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測
○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研）
pp. 31 - 34
SDM2007-230
Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価
○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）
pp. 35 - 38
SDM2007-231
共役反転格子フォトニック結晶での導波解析
○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大）
pp. 39 - 42
SDM2007-232
シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果
○岸山友紀・高橋 優・大鐘章義・Athapol Kitiyanan・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 43 - 46
SDM2007-233
傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード
○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 47 - 50
SDM2007-234
4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定
○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 51 - 54
SDM2007-235
Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク
○小野寺 亮・笠川知洋・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大）・原 弘幸・井上 聡（セイコーエプソン）
pp. 55 - 58
SDM2007-236
アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性
○山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大）
pp. 59 - 62
SDM2007-237
磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討
○大井秀夫・木村 睦（龍谷大）・鈴木洋一・石川省吾・梅澤浩光（FDK）・高木宏幸・金 周映・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大）
pp. 63 - 66
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．