Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2008-198
24GHz1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
○白水信弘・増田 徹・中村宝弘・鷲尾勝由（日立）
pp. 1 - 5
ED2008-199
フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ
○川上憲司・鈴木拓也・金谷 康・北村洋一・檜枝護重（三菱電機）
pp. 7 - 10
ED2008-200
出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化
○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・宮崎守泰（三菱電機）
pp. 11 - 15
ED2008-201
V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討
○川崎健吾・田中高行・相川正義（佐賀大）
pp. 17 - 22
ED2008-202
GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード
○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック）
pp. 23 - 27
ED2008-203
逆導通GaN FETの特性評価
○町田 修・金子信男・馬場良平・猪澤道能・岩上信一・柳原将貴・後藤博一・岩渕昭夫（サンケン電気）
pp. 29 - 34
ED2008-204
高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用
○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝）
pp. 35 - 40
ED2008-205
電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 ～ 温度に対する誘電率変化を考慮した場合 ～
○柄川雅樹・渡邊慎也・橋本 修（青学大）
pp. 41 - 46
ED2008-206
コンポジット並列共振器を用いた有極帯形帯域通過フィルタの阻止域特性改善
○兎澤孝典・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）
pp. 47 - 52
ED2008-207
マイクロストリップパラレル結合デュアルモードリング共振器の特性解析およびフィルタ設計への応用
○佐々木英行・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）
pp. 53 - 58
ED2008-208
固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性
○丸山 契・小武内哲雄・淀川信一・高坂 諭（秋田大）
pp. 59 - 64
ED2008-209
高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造
○槇田毅彦・玉井 功・星 真一・関 昇平（OKI）
pp. 65 - 70
ED2008-210
GaAs方向性結合器付き検波回路の検討
○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・小川喜之・中山正敏（三菱電機）
pp. 71 - 76
ED2008-211
InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響
○堀池恒平・福田俊介・赤川啓介・末光哲也・尾辻泰一（東北大）
pp. 77 - 81
ED2008-212
超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮
○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）
pp. 83 - 88
ED2008-213
43 Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC
○福山裕之・伊藤敏洋・古田知史・栗島賢二・徳光雅美・村田浩一（NTT）
pp. 89 - 94
ED2008-214
ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性
○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）
pp. 95 - 99
ED2008-215
同軸線路給電L字形一次放射器を用いたミリ波平面アンテナの特性
○沖横田 誠・中村元紀・黒木太司（呉高専）
pp. 101 - 104
ED2008-216
ミリ波帯両面金属装荷トリプレート伝送線路の実験的検討
○田丸了次・黒木太司（呉高専）
pp. 105 - 108
ED2008-217
2008年日中合同マイクロ波会議出席報告
○黒木太司（呉高専）
pp. 109 - 112
ED2008-218
C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
○重松寿生・井上雄介・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研）
pp. 113 - 118
ED2008-219
AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）
pp. 119 - 123
ED2008-220
In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET
○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック）
pp. 125 - 128
ED2008-221
ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT
○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
pp. 129 - 133
ED2008-222
ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償
○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大）
pp. 135 - 139
ED2008-223
ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT
○大井幸多・橋詰 保（北大）
pp. 141 - 144
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．