Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2010-216
［基調講演］3次元実装技術とCPI(Chip Package Interaction)の課題
○折井靖光・鳥山和重・堀部晃啓・松本圭司・佐久間克幸（日本IBM）
pp. 1 - 6
SDM2010-217
ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証
○井上尚也・植木 誠・山本博規・久米一平・川原 潤・井口 学・本田広一・堀越賢剛・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 7 - 12
SDM2010-218
コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用
○渡辺直也・浅野種正（九大）
pp. 13 - 18
SDM2010-219
CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響
○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・渡邉 桂・加藤 賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝）
pp. 19 - 23
SDM2010-220
光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存
○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST）
pp. 25 - 30
SDM2010-221
Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性
○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大）
pp. 31 - 35
SDM2010-222
光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研）
pp. 37 - 42
SDM2010-223
Cu - TSV/ Cu -Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価
○Murugesan Mariappan・福島誉史・田中 徹・小柳光正（東北大）
pp. 43 - 47
SDM2010-224
3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）
pp. 49 - 53
SDM2010-225
新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5)
○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 55 - 58
SDM2010-226
メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術
○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック）
pp. 59 - 63
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．