Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2017-50
［招待講演］段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整
○掛川智康・二瀬卓也（サンディスク）
pp. 1 - 7
SDM2017-51
Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and its Decrease by Atomically Flattening Process
Hyeonwoo Park・○Rihito Kuroda・Tetsuya Goto・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Daiki Kimoto・Shigetoshi Sugawa（Tohoku Univ）
pp. 9 - 14
SDM2017-52
化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用
○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）
pp. 15 - 19
SDM2017-53
塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術
○木下哲郎・真下峻一・大橋卓矢・澤田佳宏・木下洋平・藤村悟史（TOK）
pp. 21 - 24
SDM2017-54
［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大）
pp. 25 - 30
SDM2017-55
［招待講演］ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ～ 半導体製造の歩留解析支援システム ～
○赤堀浩史（東芝メモリ）・中田康太・折原良平・水岡良彰・高木健太郎（東芝）・門多健一・西村孝治・田中祐加子・江口英孝（東芝メモリ）
pp. 31 - 33
SDM2017-56
紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計
○石井秀和（東北大）・永瀬正明・池田信一（フジキン）・志波良信・白井泰雪・黒田理人・須川成利（東北大）
pp. 35 - 38
SDM2017-57
ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果
○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）
pp. 39 - 44
SDM2017-58
［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 45 - 49
SDM2017-59
Pinning Voltage Control of CMOS Image Sensor by measuring sheet resistance at micro test structure in scribe line
○Yotaro Goto（RSMC）・Tadasihi Yamaguchi・Masazumi Matsuura（REL）・Koji Iizuka（RSMC）
pp. 51 - 55
SDM2017-60
高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析
○市野真也・間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・若嶋駿一・須川成利（東北大）
pp. 57 - 62
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．