Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2021-53
［招待講演］シリコンIGBTの新展開 ～ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ～
○平本俊郎・更屋拓哉（東大）
pp. 1 - 6
SDM2021-54
［招待講演］統計的回路シミュレーションのための非正規分布モデルパラメータの生成
○佐藤高史・塚本裕貴・辺 松（京大）・新谷道広（奈良先端大）
pp. 7 - 12
SDM2021-55
［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待
○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大）
pp. 13 - 18
SDM2021-56
［招待講演］三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究
○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・Su, Chun-Jung（TSRI）・Hu, Vita Pi-Ho（NTU）
pp. 19 - 22
SDM2021-57
［招待講演］プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術
○江利口浩二（京大）
pp. 23 - 28
SDM2021-58
標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
○竹内 潔・水谷朋子・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
pp. 29 - 32
SDM2021-59
［招待講演］SISPAD2021レビュー
○三成英樹（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 33 - 37
SDM2021-60
［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大）
pp. 38 - 42
SDM2021-61
［招待講演］4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
○西村智也・永久克己・園田賢一郎・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 43 - 46
SDM2021-62
［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通）
pp. 47 - 52
SDM2021-63
［招待講演］乱層構造を持つ多層グラフェンナノリボンの合成およびキャリア輸送現象
○根岸良太（東洋大）
pp. 53 - 59
SDM2021-64
［招待講演］A Theoretical Study on Strain-Induced Change of Schottky Energy Barrier of Dumbbell-Shape Graphene-Nanoribbons for Highly Sensitive Strain Sensors
○Qinqiang Zhang・Ken Suzuki・Hideo Miura（Tohoku Univ.）
pp. 60 - 65
SDM2021-65
［招待講演］非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化
○相馬聡文（神戸大）
pp. 66 - 71
SDM2021-66
Physics Informed Neural Networksを用いたシリコンナノワイヤ中のフォノン輸送解析
○藤田悠摩・鈴木悠平・鎌倉良成（阪工大）
pp. 72 - 76
SDM2021-67
機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定
○赤澤光平・中西唯吾・鈴木悠平・鎌倉良成（阪工大）
pp. 77 - 80
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．