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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

日時 2011年11月10日(木) 10:00 - 15:30
2011年11月11日(金) 10:00 - 17:00
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修-1 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線「神谷町」駅下車徒歩約7分またはJR「浜松町」駅下車徒歩約18分
http://www.jcmanet.or.jp/gaiyo/map_kaikan.htm
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月10日(木) 午前 
座長: 国清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
10:00 - 11:45
  10:00-10:05 オープニング トーク ( 5分 )
(1) 10:05-10:55 [招待講演]電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ・センサの等価回路モデル SDM2011-115 年吉 洋東大
(2) 10:55-11:45 [招待講演]SISPAD 2011レビュー SDM2011-116 林 洋一ラピスセミコンダクタ
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
11月10日(木) 午後 
座長: 羽根正巳 (ルネサスエレクトロニクス)
13:00 - 15:30
(3) 13:00-13:50 [招待講演]3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ SDM2011-117 笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立
(4) 13:50-14:40 [招待講演]デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 SDM2011-118 東 悠介百々信幸百瀬寿代大黒達也松澤一也東芝
(5) 14:40-15:30 [招待講演]STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション SDM2011-119 福田浩一西澤正泰多田哲也産総研)・Leonid Bolotov筑波大)・鈴木 腕佐藤成生富士通セミコンダクター)・有本 宏金山敏彦産総研
11月11日(金) 午前 
座長: 廣木 彰 (京都工繊大)
10:00 - 11:40
(6) 10:00-10:25 モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション SDM2011-120 久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JST
(7) 10:25-10:50 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 SDM2011-121 滝口直也木場隼介神戸大)・○土屋英昭神戸大/JST)・小川真人神戸大
(8) 10:50-11:15 摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション SDM2011-122 程 賀名大/JST)・宇野重康立命館大/JST)・沼田達宏名大/JST)・中里和郎名大
(9) 11:15-11:40 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ~ EMC-MDシミュレーションによる検討 ~ SDM2011-123 神岡武文早大/JST)・今井裕也早大)・大毛利健治白石賢二筑波大/JST)・鎌倉良成阪大/JST)・渡邉孝信早大/JST
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
11月11日(金) 午後 
座長: 安斎久浩 (ソニー)
13:00 - 15:05
(10) 13:00-13:50 [招待講演]車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題 SDM2011-124 石間伏 寿植田賢志長尾 勝濱田公守トヨタ自動車
(11) 13:50-14:15 BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討 SDM2011-125 宮地幸祐洪 慶麟竹内 健東大
(12) 14:15-14:40 MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 SDM2011-126 勝俣 翠松永翔雲羽生貴弘東北大
(13) 14:40-15:05 積層方式Chain構造PRAMの設計法 SDM2011-127 加藤 翔渡辺重佳湘南工科大
  15:05-15:20 休憩 ( 15分 )
11月11日(金) 午後 
座長: 青木伸俊 (東芝)
15:20 - 17:00
(14) 15:20-15:45 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 SDM2011-128 廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大
(15) 15:45-16:10 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 SDM2011-129 尹 鍾鐵廣木 彰京都工繊大
(16) 16:10-16:35 CMOS負荷を持つ大規模RLC回路網の効率的な解析 SDM2011-130 丹治裕一香川大
(17) 16:35-17:00 SGTとFinFETを用いた論理回路のパターン面積の比較検討 SDM2011-131 小玉貴大渡辺重佳湘南工科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 


Last modified: 2011-10-13 09:07:14


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