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電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		橋詰保 (北大)
副委員長		加地徹 (豊田中研)
幹事		村田浩一 (NTT)，原直紀 (富士通研)
幹事補佐		津田邦男 (東芝)，須原理彦 (首都大東京)

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		渡辺重佳 (湘南工科大)
副委員長		杉井寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事		安斎久浩 (ソニー)，遠藤哲郎 (東北大)
幹事補佐		大西克典 (九工大)，小野行徳 (NTT)

日時	2010年 2月22日(月)　13:00 - 16:55 2010年 2月23日(火)　09:30 - 12:50
議題	機能ナノデバイスおよび関連技術
会場名	沖縄県青年会館
住所	〒900-0033 那覇市久米2-15-23
交通案内	モノレール旭橋下車徒歩5分または那覇空港よりタクシー10分 http://www.okinawakenseinenkaikan.or.jp/new/page.php?7
会場世話人連絡先	琉球大学工学部野口隆 098-864-1780
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月22日(月) 午後ナノ機能性１ 13:00 - 14:40
(1)	13:00-13:25	Si中のP原子核スピン配列に基づくニューロ様断熱的量子計算について ED2009-196 SDM2009-193	○金城光永（琉球大）・佐藤茂雄（東北大）
(2)	13:25-13:50	高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ED2009-197 SDM2009-194	○池田浩也・ファイズサレ（静岡大）
(3)	13:50-14:15	カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 ED2009-198 SDM2009-195	○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三（阪大）・葛西誠也（北大）・井上恒一・松本和彦（阪大）
(4)	14:15-14:40	量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ED2009-199 SDM2009-196	○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大）
	14:40-14:50	休憩　（ 10分）
2月22日(月) 午後ナノ材料・プロセス 14:50 - 16:55
(5)	14:50-15:15	選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 ED2009-200 SDM2009-197	○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大）
(6)	15:15-15:40	SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 ED2009-201 SDM2009-198	○岡田竜弥（琉球大）・東　清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大）
(7)	15:40-16:05	電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化 ED2009-202 SDM2009-199	○上野俊介・友田悠介・久米　彌・花田道庸・滝谷和聡・白樫淳一（東京農工大）
(8)	16:05-16:30	電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 ED2009-203 SDM2009-200	○滝谷和聡・友田悠介・渡邉敬登・久米　彌・上野俊介・白樫淳一（東京農工大）
(9)	16:30-16:55	強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ED2009-204 SDM2009-201	○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田　宏・水柿義直（電通大）
2月23日(火) 午前ナノデバイスと回路応用 09:30 - 11:25
(10)	09:30-10:10	［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 ED2009-205 SDM2009-202	○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本　茂・水谷　孝（名大）
(11)	10:10-10:35	SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 ED2009-206 SDM2009-203	○岸本貴臣・大野恭秀・前橋兼三・井上恒一・松本和彦（阪大）
(12)	10:35-11:00	ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作 ED2009-207 SDM2009-204	○柴田　啓・中田大輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST）
(13)	11:00-11:25	GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討 ED2009-208 SDM2009-205	○白鳥悠太・三浦健輔（北大）・葛西誠也（北大/JST）
	11:25-11:35	休憩　（ 10分）
2月23日(火) 午前ナノ機能性２ 11:35 - 12:50
(14)	11:35-12:00	Detectors of Terahertz and Infrared Radiation Based on p-i-n Single- and Multiple Graphene Layer Structures ED2009-209 SDM2009-206	○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（Univ. of Aizu）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）・Vladimir Mitin（Buffalo Univ.）
(15)	12:00-12:25	CNT分散紙の電気的特性 ED2009-210 SDM2009-207	○田中　朋・佐野栄一（北大）・秋山宏介・今井将徳（特種製紙）
(16)	12:25-12:50	カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 ED2009-211 SDM2009-208	○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦（阪大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 35 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	村田浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原直紀（富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: HiAniny