6月13日(金) 午後  13:00 - 17:25
(1)	13:00-13:25	SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ED2008-22	○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）
(2)	13:25-13:50	p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ED2008-23	○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大）
(3)	13:50-14:15	AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ED2008-24	○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰　保（北大）
(4)	14:15-14:40	ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ED2008-25	○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野　隆（阪大）
(5)	14:40-15:05	MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ED2008-26	○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT）
	15:05-15:20	休憩　（ 15分 ）
(6)	15:20-15:45	Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters ED2008-27	○Masako Kodera・Yoshitaka Matsui・Naoto Miyashita（Toshiba）
(7)	15:45-16:10	Particle Performance Improvement of Single-Wafer Wet Cleaning for Next Generation ED2008-28	○Ken-ichi Sano・Katsuhiko Miya・Akira Izumi・Jim Snow・Atsuro Eitoku（Dainippon Screen MFG.）
(8)	16:10-16:35	SPM洗浄法におけるレジスト剥離能力の劣化と電解硫酸液を用いたレジスト剥離技術の実証 ED2008-29	○永井達夫・山川晴義・内田　稔・大津　徹・池宮範人（栗田工業）
(9)	16:35-17:00	マランゴニ乾燥における残留液膜・液滴の乾燥挙動 ED2008-30	○宮本泰治・鴨志田隼司・山田　純（芝浦工大）
(10)	17:00-17:25	スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成 ED2008-31	○増本哲己・渡辺正晴・佐藤啓介（日本エスイーゼット）
6月14日(土) 午前  09:00 - 12:10
(11)	09:00-09:25	超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 ED2008-32	○原　直紀・高橋　剛・牧山剛三（富士通）・多木俊裕（富士通研）
(12)	09:25-09:50	化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ED2008-33	○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井　護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京）
(13)	09:50-10:15	Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ED2008-34	○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本　茂・水谷　孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属）
(14)	10:15-10:40	エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ED2008-35	○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大）
	10:40-10:55	休憩　（ 15分 ）
(15)	10:55-11:20	MBE growth of high In-content InGaAs/InAlAs heterojunction and its spin-orbit interaction in the 2DEG layer ED2008-36	○Hyonkwan Choi・Shunsuke Nitta・Syoji Yamada（CNMT JAIST）
(16)	11:20-11:45	Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ED2008-37	○森　雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大）
(17)	11:45-12:10	Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ED2008-38	○斉藤光史・森　雅之・上田広司・前澤宏一（富山大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl 村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba

Last modified: 2008-05-07 14:48:25