7月4日(月)   09:00 - 17:40
(1)	09:00-09:20	高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 SDM2011-50	○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山　彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井　洋（東工大）
(2)	09:20-09:40	SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 SDM2011-51	○影島博之・日比野浩樹・山口浩司（NTT）・永瀬雅夫（徳島大）
(3)	09:40-10:00	Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価 SDM2011-52	○山田泰之・石黒暁夫（東工大）・日野史郎・三浦成久・今泉昌之・炭谷博昭（三菱電機）・徳光永輔（東工大）
(4)	10:00-10:20	Defect analysis of HfO2/In0.53Ga0.47As interface using capacitance-voltage and conductance methods SDM2011-53	○Darius Zade・Ryuji Hosoi・Ahmet Parhat・Kuniyuki Kakushima・Kazuo Tsutsui・Akira Nishiyama・Nobuyuki Sugii・Kenji Natori・Takeo Hattori・Hiroshi Iwai（Tokyo Inst. of Tech.）
	10:20-10:40	休憩　（ 20分 ）
(5)	10:40-11:00	Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 SDM2011-54	○大野真也・井上　慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明（横浜国大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・尾形祥一（横浜国大）・安田哲二（産総研）・田中正俊（横浜国大）
(6)	11:00-11:20	XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 SDM2011-55	○石原由梨（芝浦工大）・渋谷寧浩・五十嵐　智（東京都市大）・小林大輔（JAXA）・野平博司（東京都市大）・上野和良（芝浦工大）・廣瀬和之（JAXA）
(7)	11:20-11:40	Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 SDM2011-56	櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作（筑波大）・角嶋邦之・岩井　洋（東工大）・白石賢二・○野村晋太郎（筑波大）
(8)	11:40-12:00	Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure SDM2011-57	○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.）
(9)	12:00-12:20	Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 SDM2011-58	○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）
	12:20-13:20	昼食　（ 60分 ）
(10)	13:20-13:40	Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 SDM2011-59	○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大）
(11)	13:40-14:00	Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 SDM2011-60	○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大）
(12)	14:00-14:20	金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 SDM2011-61	○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）
(13)	14:20-14:40	金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 SDM2011-62	○小日向恭祐・中山隆史（千葉大）
(14)	14:40-15:00	ハフニウム酸化物への元素添加効果 ～ 第一原理計算による検討 ～ SDM2011-63	中山利紀・川崎　裕・○丸泉琢也（東京都市大）
(15)	15:00-15:20	ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 SDM2011-64	○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構）
	15:20-15:40	休憩　（ 20分 ）
(16)	15:40-16:00	高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 SDM2011-65	○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）
(17)	16:00-16:20	Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC SDM2011-66	Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh Pham・Yoshiaki Nakamura・Jun Kikkawa・Akira Sakai（Osaka Univ.）
(18)	16:20-16:40	RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 SDM2011-67	○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）
(19)	16:40-17:00	グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 SDM2011-68	○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST）
(20)	17:00-17:20	相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 SDM2011-69	○加藤　翔・渡辺重佳（湘南工科大）
(21)	17:20-17:40	低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 SDM2011-70	○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2011-04-19 09:39:53