8月10日(水) 午後  13:00 - 17:25
(1)	13:00-13:25	レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 CPM2011-56	○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大）
(2)	13:25-13:50	In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価 CPM2011-57	○鈴木聡一郎・佐藤真哉・岩崎拓郎（弘前大）・俵　毅彦・舘野功太・後藤秀樹・寒川哲臣（NTT）・岡本　浩（弘前大）
(3)	13:50-14:15	SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 CPM2011-58	酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大）
(4)	14:15-14:40	SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 CPM2011-59	大谷孝史・姉崎　豊・浅野　翔・加藤有行（長岡技科大）・成田　克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大）
(5)	14:40-15:05	TSFZ法による高温超伝導体Bi-2223単結晶の育成と評価 CPM2011-60	○足立伸太郎・臼井友洋・橋本雄三・渡辺孝夫（弘前大）・藤井武則（東大）
	15:05-15:20	休憩　（ 15分 ）
(6)	15:20-15:45	組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 CPM2011-61	○武山真弓・佐藤　勝・野矢　厚（北見工大）
(7)	15:45-16:10	プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 CPM2011-62	○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹（弘前大）
(8)	16:10-16:35	レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響 CPM2011-63	○毛内裕介・遅澤遼一・中澤日出樹（弘前大）
(9)	16:35-17:00	低温と室温におけるコンダクタンス法の組合せによるGe-MIS構造の界面準位密度評価 CPM2011-64	○岩崎拓郎・佐藤真哉・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本　浩（弘前大）
(10)	17:00-17:25	ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価 CPM2011-65	○佐藤真哉・岩崎拓郎・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本　浩（弘前大）
8月11日(木) 午前  09:00 - 12:35
(11)	09:00-09:25	反応性スパッタ法によるCuAlO2薄膜の作製とアニール効果 CPM2011-66	○阿部克也・横本拓也・前田洋輔・宮澤　匠（信州大）
(12)	09:25-09:50	RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製 CPM2011-67	○梅原　猛・野毛　悟（沼津高専）
(13)	09:50-10:15	シリコン酸化膜の不均一な熱分解 CPM2011-68	○遠田義晴・小川可乃・永井孝幸（弘前大）
(14)	10:15-10:40	赤外吸収分光法を用いたHfO2原子層堆積法の反応素過程評価 CPM2011-69	○廣瀬文彦・木下友太・鈴木貴彦（山形大）
	10:40-10:55	休憩　（ 15分 ）
(15)	10:55-11:20	OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価 CPM2011-70	○出貝　求・黒沢正章・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）
(16)	11:20-11:45	下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 CPM2011-71	○野毛　悟・梅原　猛（沼津高専）・宇野武彦（神奈川工科大）
(17)	11:45-12:10	ユビキタスプロセッサチップの開発 CPM2011-72	○内海晴信・石原拓美・三村直道・高木竜哉・成田一貴・深瀬政秋・佐藤友暁（弘前大）
(18)	12:10-12:35	バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析 CPM2011-73	○栗原　啓・吉田一樹・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	幹事 阿部克也 TEL：026-269-5191 e-:abenshu-u

Last modified: 2011-06-23 17:28:30