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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-10-11 to:2007-10-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:05 |
福井 | 福井大学 | 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性 ○山口敦史（金沢工大）  ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57 |
任意面方位の窒化物量子井戸の偏光特性について理論計算を行った。(In)GaN量子井戸においては、基板面方位に応じて面内光... [more] | ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57 pp.1-6 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:55 |
福井 | 福井大学 | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 pp.13-17 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 14:30 |
福井 | 福井大学 | 金属・酸化物・GaN接触を利用した紫外発光ダイオードの製作 ○小宮山重利・野口和之・増山佳宏・吉岡香織・本田 徹（工学院大） |
[more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 14:55 |
福井 | 福井大学 | 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED ○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 |
紫外発光ダイオード（LED）は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現で... [more] | ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 pp.19-23 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 15:20 |
福井 | 福井大学 | アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ～ MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ～ 万行大貴・小野宏之・○小林芳彦・松本 功・渋谷和信（大陽日酸） ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61 |
[more] | ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61 pp.25-28 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 15:45 |
福井 | 福井大学 | p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED ○藤川紗千恵（理研）・高野隆好・近藤行廣（松下電工）・平山秀樹（理研） ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62 |
[more] | ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62 pp.29-34 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 16:20 |
福井 | 福井大学 | 非極性m面InGaN LEDの偏光特性 辻村裕紀・○中川 聡・岡本國美・太田裕朗（ローム） |
[more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 16:45 |
福井 | 福井大学 | 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制 ○後藤 修（ソニー）・大泉善嗣・庄司美和子・田中隆之・保科幸男・太田 誠（ソニー白石セミコンダクタ）・矢吹義文・冨谷茂隆・池田昌夫（ソニー） ED2007-162 CPM2007-88 LQE2007-63 |
[more] | ED2007-162 CPM2007-88 LQE2007-63 pp.35-37 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:10 |
福井 | 福井大学 | AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 ○川西英雄・新倉栄一郎（工学院大） ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 |
AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半... [more] | ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 pp.39-42 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:35 |
福井 | 福井大学 | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大） ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 pp.43-46 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
多段および傾斜フィールドプレート（FP）を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカル... [more] | ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 pp.47-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:25 |
福井 | 福井大学 | 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で... [more] | ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 pp.53-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:50 |
福井 | 福井大学 | ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 ○松田慶太・川崎 健・中田 健・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 |
AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐... [more] | ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 pp.57-61 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:15 |
福井 | 福井大学 | 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討 ○寺田 豊・鈴江隆晃・石川博康・江川孝志（名工大） ED2007-168 CPM2007-94 LQE2007-69 |
[more] | ED2007-168 CPM2007-94 LQE2007-69 pp.63-66 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:50 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，その結果より... [more] | ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 pp.67-72 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:15 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大） ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス（BTストレス）評... [more] | ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 pp.73-76 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:40 |
福井 | 福井大学 | AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 ○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、２次元空間におけるアンサンブルモン... [more] | ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 pp.77-80 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 12:05 |
福井 | 福井大学 | Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 ○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)... [more] | ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 pp.81-84 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 13:50 |
福井 | 福井大学 | ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価 ○徳田 豊・松岡陽一・妹尾 武（愛知工大）・上田博之・石黒 修・副島成雅・加地 徹（豊田中研） ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 |
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] | ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 pp.85-88 |
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