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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-06-24 to:2009-06-24」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器 ○鈴木俊秀・川野陽一（富士通/富士通研）・佐藤 優（富士通研）・中舍安宏・廣瀬達哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・常信和清（富士通/富士通研）  ED2009-50 SDM2009-45 |
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得1... [more] | ED2009-50 SDM2009-45 pp.1-4 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits ○Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Jun Hayakawa（Hitachi, Ltd.）・Huadong Gan・Kotaro Mizumuma・Ji Ho Park（Tohoku Univ.）・Hiroyuki Yamamoto・Katsuya Miura（Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.）・Haruhiro Hasegawa・Ryutaro Sasaki・Toshiyasu Meguro（Tohoku Univ.）・Kenchi Ito（Hitachi, Ltd.）・Fumihiro Matsukura・Hideo Ohno（Tohoku Univ.） ED2009-51 SDM2009-46 |
[more] | ED2009-51 SDM2009-46 pp.5-8 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Analysis on the Behavior of a Low Voltage Triggered SCR ESD Clamp Circuit in Comparison between the Standard Transmission Line Pulse System and the Very Fast Transmission Line Pulse System. ○Jae-Young Park・Jong-Kyu Song・Dae-Woo Kim・Chang-Soo Jang・Won-Young Jung・Taek-Soo Kim（Dongbu HiTek） ED2009-54 SDM2009-49 |
[more] | ED2009-54 SDM2009-49 pp.17-20 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Current Controlled MOS Current Mode Logic with Auto-detection of Threshold Voltage Fluctuation ○Tetsuo Endoh・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.） ED2009-55 SDM2009-50 |
A Current Controlled (CC-) MOS Current Mode Logic (MCML) cir... [more] | ED2009-55 SDM2009-50 pp.21-24 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A V-band Injection-Locked Frequency Divider with Low Supply Voltage in 0.13-um Si RFCMOS Technology ○Seung-Woo Seo・Jae-Sung Rieh（Korea Univ.） ED2009-56 SDM2009-51 |
[more] | ED2009-56 SDM2009-51 pp.25-28 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies ○Kenichi Abe・Takafumi Fujisawa・Akinobu Teramoto・Syunichi Watabe・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2009-57 SDM2009-52 |
[more] | ED2009-57 SDM2009-52 pp.29-32 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A 0.18um CMOS over 10 Gb/s 10-PAM Serial Link Receiver ○Jeongjun Lee・Jikyung Jeong・Jinwook Burm（Sogang University） ED2009-58 SDM2009-53 |
[more] | ED2009-58 SDM2009-53 pp.33-36 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A CMOS 12.8 Gb/s 10-PAM transmitter for chip-to-chip communication ○Jikyung Jeong・Jeongjun Lee・Jinwook Burm（Sogang University） ED2009-59 SDM2009-54 |
[more] | ED2009-59 SDM2009-54 pp.37-40 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Fundamental study of a composite right/left-handed transmission line with self-multiplexed properties toward functional wireless interconnects ○Sadaharu Ito・Michihiko Suhara（Tokyo Metro Univ.） ED2009-60 SDM2009-55 |
A composite right/left-handed (CRLH) transmission line with ... [more] | ED2009-60 SDM2009-55 pp.41-46 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］SiC上グラフェンの物性評価 ○永瀬雅夫・日比野浩樹・影島博之・山口浩司（NTT） ED2009-61 SDM2009-56 |
近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従... [more] | ED2009-61 SDM2009-56 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Theoretical study on graphene field-effect transistors ○Eiichi Sano（Hokkaido Univ./JST）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ../JST） ED2009-62 SDM2009-57 |
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ... [more] | ED2009-62 SDM2009-57 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Characteristics of organic field-effect-transistor with high dielectric constant layer ○S. Lee・Y. J. Choi・J. Park・K. Y. Ko・I.. S. Park・J. Ahn（Hanyang Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric ○Young-uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-63 SDM2009-58 |
In order to realize low voltage operation of pentacene-based... [more] | ED2009-63 SDM2009-58 pp.59-62 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Design of 30nm FinFET with Halo Structure ○Tetsuo Endoh・Koji Sakui・Yukio Yasuda（Tohoku Univ../JST-CREST） ED2009-64 SDM2009-59 |
Design of 30nm FinFETs with halo structure for suppressing t... [more] | ED2009-64 SDM2009-59 pp.63-66 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Design and Simulation of Self-Aligned Vertical Island Single Electron Transistor (VI-SET) with Electrical Tunneling Barrier. ○Joung-eob Lee・Kwon-Chil Kang・Jung-Han Lee・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2009-65 SDM2009-60 |
[more] | ED2009-65 SDM2009-60 pp.67-70 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Simulation and Experiment of Liquid-Phase Microjoining Using Cone-Shaped Compliant Bump ○Lijing Qiu（Kyushu Univ.）・Naoya Watanabe（Fukuoka-IST）・Tanemasa Asano（Kyushu Univ.） ED2009-66 SDM2009-61 |
[more] | ED2009-66 SDM2009-61 pp.71-74 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A new Combination of RSD and Inside Spacer Thin Film Transistor ○M. J. Chang・T. C. Li・F. T. Chien（Feng Chia Univ.）・C. N. Liao・Y. T. Tsai（National Central Univ.） ED2009-67 SDM2009-62 |
[more] | ED2009-67 SDM2009-62 pp.75-78 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A Study on Lateral Surface Treatment of the CdTe X-ray image-sensor ○Jin Kwan Kim（KAIST）・Keedong Yang（i3system Conp.）・Yong Soo Lee（KAIST）・Hee Chul Lee（KAIST/National Nanofab Center） ED2009-69 SDM2009-64 |
[more] | ED2009-69 SDM2009-64 pp.83-86 |
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