| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 ○宮川鈴衣奈・楊 士波・三宅秀人・平松和政（三重大）・桑原崇彰・桑野範之・光原昌寿（九大）  ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 |
高性能深紫外受発光デバイスへの応用に，AlN膜の高品質化が求められている．本研究では，核形成層である中温(medium-... [more] | ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 pp.5-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大） ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] | ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 pp.11-14 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 ○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 |
[more] | ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 pp.7-10 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 ○楊 士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨 弘（京都工繊大） ED2011-3 CPM2011-10 SDM2011-16 |
[more] | ED2011-3 CPM2011-10 SDM2011-16 pp.11-14 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 ○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2011-12 CPM2011-19 SDM2011-25 |
[more] | ED2011-12 CPM2011-19 SDM2011-25 pp.59-62 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 ○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍 修（名工大） ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102 |
[more] | ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102 pp.21-24 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN ○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103 |
[more] | ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 ○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST） ED2010-107 SDM2010-108 |
[more] | ED2010-107 SDM2010-108 pp.249-252 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 09:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 ○島原佑樹・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 |
減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を，反射光を用いたその場観察によって成長... [more] | ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 pp.9-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 09:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 ○藤田浩平・奥浦一輝・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） ED2009-147 CPM2009-121 LQE2009-126 |
減圧HVPE法において周期溝加工AlNテンプレートを用いることにより高品質AlN厚膜を成長できた。溝加工テンプレートは通... [more] | ED2009-147 CPM2009-121 LQE2009-126 pp.91-94 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 ○菅原克也・久保俊晴（北大）・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・橋詰 保（北大） ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 |
[more] | ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 pp.115-118 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:00 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 |
発光素子，受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化，発光効率の向上が求められている．本研究では... [more] | ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 pp.77-81 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 |
[more] | ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 pp.83-86 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 16:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価 ○片桐佑介・奥浦一輝・呉 潔君・三宅秀人・平松和政（三重大）・江崎哲也・桑野範之（九大） ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 |
[more] | ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-18 16:05 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成 ○小出晋也・中村和哉・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・中村 淳・南部信義（中部キレスト） |
[more] | ED2006-27 CPM2006-14 SDM2006-27 pp.39-44 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-18 16:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価 ○石井丈晴・松岡史晃・三宅秀人・平松和政（三重大） |
[more] | ED2006-28 CPM2006-15 SDM2006-28 pp.45-50 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 10:30 |
滋賀 | 立命館大学 | 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価 ○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大） |
[more] | ED2005-143 CPM2005-130 LQE2005-70 pp.17-22 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 10:50 |
滋賀 | 立命館大学 | 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響 ○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大） |
[more] | ED2005-144 CPM2005-131 LQE2005-71 pp.23-28 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]