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IEICE: 電子情報通信学会
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(第二種) A: 基礎・境界
(第二種) N: NOLTA
(第二種) B: 通信
(第二種) C: エレクトロニクス
(第二種) D: 情報・システム
(第二種) H: ヒューマンCG
(第三種) B: 通信
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IEEE
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ヘルスケア・医療情報通信技術研究会 (MICT)
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光通信システム研究会 (OCS)
光ファイバ応用技術研究会 (OFT)
フォトニックネットワーク研究会 (PN)
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センサネットワークとモバイルインテリジェンス研究会 (SeMI)
スマート無線研究会 (SR)
短距離無線通信研究会 (SRW)
ユビキタス・センサネットワーク研究会 (USN)
無線電力伝送研究会 (WPT)
電子部品・材料研究会 (CPM)
電子デバイス研究会 (ED)
電子ディスプレイ研究会 (EID)
機構デバイス研究会 (EMD)
電磁界理論研究会 (EMT)
エレクトロニクスシミュレーション研究会 (EST)
集積回路研究会 (ICD)
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磁気記録・情報ストレージ研究会 (MRIS)
マイクロ波研究会 (MW)
マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会 (MWP)
マイクロ波テラヘルツ光電子技術研究会 (MWPTHz)
有機エレクトロニクス研究会 (OME)
光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
データ工学研究会 (DE)
マルチメディア情報ハイディング・エンリッチメント研究会 (EMM)
教育工学研究会 (ET)
情報論的学習理論と機械学習研究会 (IBISML)
情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
画像工学研究会 (IE)
知能ソフトウェア工学研究会 (KBSE)
ライフインテリジェンスとオフィス情報システム研究会 (LOIS)
MEとバイオサイバネティックス研究会 (MBE)
医用画像研究会 (MI)
ニューロコンピューティング研究会 (NC)
言語理解とコミュニケーション研究会 (NLC)
パターン認識・メディア理解研究会 (PRMU)
リコンフィギャラブルシステム研究会 (RECONF)
サービスコンピューティング研究会 (SC)
音声研究会 (SP)
ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
ソフトウェアインタプライズモデリング研究会 (SWIM)
ヒューマンコミュニケーション基礎研究会 (HCS)
ヒューマン情報処理研究会 (HIP)
メディアエクスペリエンス・バーチャル環境基礎研究会 (MVE)
福祉情報工学研究会 (WIT)
センサネットワーク研究会 (SN)
次世代無線設備試験認証技術研究会 (ACT)
バイオメトリックシステムセキュリティ研究会 (BS)
通信行動工学研究会 (CBE)
ネットワーク仮想化研究会 (NV)
新世代ネットワーク研究会 (NwGN)
ネットワークソフトウェア研究会 (NWS)
光応用電磁界計測研究会 (PEM)
水中無線技術研究会 (UWT)
光集積及びシリコンフォトニクス研究会 (PICS)
量子情報技術研究会 (QIT)
シリコンフォトニクス研究会 (SIPH)
テラヘルツ応用システム研究会 (THz)
合意と共創研究会 (Consensus)
サイバーワールド時限研究会 (CW)
フェロー&マスターズ未来技術研究会 (FM)
ネットワークロボット研究会 (NR)
サステナブルコンピューティング研究会 (SUSC)
食メディア研究会 (CEA)
人間とICT倫理研究会 (EHI)
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ヒューマンプローブ研究会 (HPB)
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超知性ネットワーキングに関する分野横断型研究会 (RISING)
バイオ・マイクロシステム研究会 (IEE-BMS)
通信研究会 (IEE-CMN)
誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
固体光源分科会 (IEIJ-SSL)
立体映像技術研究会 (ITE-3DMT)
映像表現&コンピュータグラフィックス研究会 (ITE-AIT)
放送技術研究会 (ITE-BCT)
コンシューマエレクトロニクス研究会 (ITE-CE)
ヒューマンインフォメーション研究会 (ITE-HI)
情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
情報センシング研究会 (ITE-IST)
メディア工学研究会 (ITE-ME)
マルチメディアストレージ研究会 (ITE-MMS)
スポーツ情報処理研究会 (ITE-SIP)
アクセシビリティ研究会 (IPSJ-AAC)
アルゴリズム研究会 (IPSJ-AL)
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コンピュータセキュリティ研究会 (IPSJ-CSEC)
コンピュータビジョンとイメージメディア研究会 (IPSJ-CVIM)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
OPE
,
LQE
,
OCS
(共催)
2019-11-11
15:55
東京
機械振興会館
[特別招待講演]ローエンドSiプロセスで高歩留り・温度無依存動作を実現する加工誤差自動補正機能を備えた超低クロストークWDM分波器
○
秋山知之
(
光電子融合基盤技研
)・
小田祥一朗
(
富士通
)・
鄭 錫煥
・
中舎安宏
・
早川明憲
・
田中 有
(
光電子融合基盤技研
)・
星田剛司
(
富士通
)
OCS2019-57 OPE2019-95 LQE2019-73
(事前公開アブストラクト) Si光集積回路は光導波路寸法ばらつきに由来する位相誤差が大きく、波長分離回路のクロストークを...
[more]
OCS2019-57
OPE2019-95
LQE2019-73
pp.27-32
CPM
,
ED
,
EID
,
SDM
,
ICD
,
MRIS
,
SCE
,
OME
,
EMD
(共催)
QIT
(併催)
[詳細]
2018-03-08
13:50
静岡
東レ総合研修センター
[招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
○
原 直紀
・
高橋 剛
・
川野陽一
・
中舍安宏
(
富士通/富士通研
)
EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト...
[more]
EMD2017-73
MR2017-44
SCE2017-44
EID2017-46
ED2017-118
CPM2017-138
SDM2017-118
ICD2017-123
OME2017-67
pp.9-10
MW
,
ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京
機械振興会館地下2階1号室
ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
○
高橋 剛
・
佐藤 優
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
原 直紀
・
岩井大介
・
岡本直哉
・
渡部慶二
(
富士通研
)
ED2016-102 MW2016-178
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー...
[more]
ED2016-102
MW2016-178
pp.29-33
ED
2016-12-19
14:40
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
高橋 剛
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
岩井大介
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお...
[more]
ED2016-81
pp.7-12
ED
2016-01-20
15:05
東京
機械振興会館
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
○
高橋 剛
・
川野陽一
・
牧山剛三
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2015-118
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM...
[more]
ED2015-118
pp.37-41
ED
2015-12-21
13:45
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
高橋 剛
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
岩井大介
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30...
[more]
ED2015-92
pp.7-11
ED
2015-12-21
14:35
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
○
高橋 剛
・
佐藤 優
・
芝 祥一
・
牧山剛三
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2015-94
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI...
[more]
ED2015-94
pp.19-23
MW
,
ED
(共催)
2015-01-16
13:00
東京
機械振興会館
電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用
○
佐藤 優
・
芝 祥一
・
川野陽一
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2014-130 MW2014-194
[more]
ED2014-130
MW2014-194
pp.77-81
ED
2014-12-23
09:40
宮城
東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟
GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上
○
高橋 剛
・
佐藤 優
・
中舎安宏
・
芝 祥一
・
原 直紀
・
岩井大介
(
富士通研
)
ED2014-108
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード...
[more]
ED2014-108
pp.57-61
ED
2014-08-01
10:30
東京
機械振興会館B3-1室
[招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
○
高橋 剛
・
佐藤 優
・
中舍安宏
・
芝 祥一
・
原 直紀
・
岩井大介
(
富士通研
)
ED2014-53
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開...
[more]
ED2014-53
pp.1-6
ED
2013-12-16
13:15
宮城
東北大通研
[招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
○
佐藤 優
・
川野陽一
・
芝 祥一
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2013-91
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの...
[more]
ED2013-91
pp.7-11
ED
2013-12-16
14:20
宮城
東北大通研
高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
○
芝 祥一
・
佐藤 優
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2013-93
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し...
[more]
ED2013-93
pp.19-23
ED
2012-12-17
13:50
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
○
芝 祥一
・
佐藤 優
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
高橋 剛
・
牧山剛三
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再...
[more]
ED2012-95
pp.11-15
ED
2012-12-18
11:40
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes
○
Mikhail Patrashin
・
Norihiko Sekine
・
Akifumi Kasamatsu
・
Issei Watanabe
・
Iwao Hosako
(
NICT
)・
Tsuyoshi Takahashi
・
Masaru Sato
・
Yasuhiro Nakasha
・
Naoki Hara
(
Fujitsu Lab.
)
ED2012-106
[more]
ED2012-106
pp.75-76
ED
2011-12-14
14:30
宮城
東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟
ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器
○
佐藤 優
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2011-103
[more]
ED2011-103
pp.19-24
ED
2010-12-17
09:30
宮城
東北大学 電気通信研究所
[招待講演]InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討
○
原 直紀
・
中舍安宏
・
牧山剛三
・
高橋 剛
(
富士通/富士通研
)
ED2010-165
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信...
[more]
ED2010-165
pp.41-45
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪
阪大 中ノ島センター
ミリ波高出力GaN-HEMT
○
牧山剛三
・
多木俊裕
・
岡本直哉
・
金村雅仁
・
増田 哲
・
中舍安宏
・
常信和清
・
今西健治
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
・
尾崎史朗
・
中村哲一
(
富士通研
)・
吉川俊英
(
富士通/富士通研
)
ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
[more]
ED2010-153
CPM2010-119
LQE2010-109
pp.51-54
ED
,
MW
(共催)
2010-01-15
09:30
東京
機械振興会館
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
○
中舍安宏
・
川野陽一
・
鈴木俊秀
(
富士通
)・
多木俊裕
(
富士通研
)・
高橋 剛
・
牧山剛三
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2009-190 MW2009-173
[more]
ED2009-190
MW2009-173
pp.87-92
MW
2009-11-19
16:00
鹿児島
JAXA種子島宇宙センター
[特別講演]2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
○
岡崎浩司
(
NTTドコモ
)・
西川健二郎
(
NTT
)・
鈴木恭宜
(
NTTドコモ
)・
大久保賢祐
(
岡山県立大
)・
上田哲也
(
京都工繊大
)・
廣田明道
(
三菱電機
)・
鴨田浩和
(
NHK
)・
中舍安宏
(
富士通研
)
MW2009-134
米国ボストン市にて開催された2009年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム(IMS2009)の概要ならびに注...
[more]
MW2009-134
pp.35-42
SDM
,
ED
(共催)
2009-06-24
14:00
海外
海雲台グランドホテル(釜山、韓国)
[招待講演]準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器
○
鈴木俊秀
・
川野陽一
(
富士通/富士通研
)・
佐藤 優
(
富士通研
)・
中舍安宏
・
廣瀬達哉
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
常信和清
(
富士通/富士通研
)
ED2009-50 SDM2009-45
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得1...
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ED2009-50
SDM2009-45
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