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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RCS, AP
(併催)
2018-11-22
15:50
沖縄 沖縄産業支援センター 高速移動伝送実験における低SHF帯デジタルビームフォーミングの伝送特性評価
奥山達樹村岡一志NTTドコモ)・野勢大輔菊間知裕丸田 靖NEC)・須山 聡増野 淳奥村幸彦NTTドコモRCS2018-215
第5世代移動通信システムでは,超多素子アンテナを活用した高周波数帯Massive MIMOによるビームフォーミング(BF... [more] RCS2018-215
pp.211-216
RCS 2018-10-19
10:30
東京 機械振興会館 適応的モバイルネットワークにおける高周波数帯車載スモールセル基地局の歩車間通信特性
丸田一輝千葉大)・中山 悠青学大)・本田一暁慶大)・久野大介阪大)・田中 健neko 9 Lab.)・安 昌俊千葉大RCS2018-167
増大するモバイルトラフィックを限られた周波数資源下で効率的に収容する手段として無線基地局のスモールセル化が有効である.一... [more] RCS2018-167
pp.89-94
SAT, RCS
(併催)
2018-08-09
11:20
岩手 岩手大学 鉄道環境における28GHz帯Massive MIMO下り伝送実験
高橋雄太宮崎寛之奥山達樹村岡一志増野 淳須山 聡奥村幸彦NTTドコモRCS2018-133
第5世代移動通信システム(5G)では,数百MHz級の超広帯域が利用できる可能性のある28 GHz帯が有力な候補バンドとし... [more] RCS2018-133
pp.13-18
ASN, NS, RCS, SR, RCC
(併催)
2018-07-12
14:05
北海道 函館アリーナ 超高速移動環境におけるビームフォーミング屋外伝送実験 ~ 28GHz帯Massive MIMOによる下り伝送特性 ~
村岡一志高橋雄太増野 淳須山 聡奥村幸彦NTTドコモRCS2018-111
第5世代移動通信システム(5G)では,数百MHz級の超広帯域が利用できる可能性のある28GHz帯が有力な候補バンドとして... [more] RCS2018-111
pp.149-154
ASN, NS, RCS, SR, RCC
(併催)
2018-07-12
14:30
北海道 函館アリーナ 超高速移動環境におけるビームフォーミング屋外伝送実験 ~ 28GHz帯Massive MIMOによる上り伝送特性およびハンドオーバ特性 ~
高橋雄太村岡一志増野 淳須山 聡奥村幸彦NTTドコモRCS2018-112
第5世代移動通信システム(5G)では,数百MHz級の超広帯域が利用できる可能性のある28 GHz帯が有力な候補バンドとし... [more] RCS2018-112
pp.155-160
IN, RCS, NV
(併催)
2018-05-10
15:40
神奈川 慶應義塾大学 [依頼講演]3GPP 5G NRにおける高速鉄道シナリオに関する検討
長谷川文大平 明徳三菱電機)・ノ ゴサン回 冰ETRI)・西本 浩岡崎彰浩岡村 敦三菱電機)・リ― ジュンファンキム イルギュETRIIN2018-3 RCS2018-28
3GPP NR において高速鉄道シナリオが検討されている.本論文では,高速鉄道向けネットワークスライシングの適用例と,通... [more] IN2018-3 RCS2018-28
pp.13-18(IN), pp.37-42(RCS)
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
RCS, NS
(併催)
2017-12-15
15:10
広島 広島アステールプラザ Massive MIMOにおける線形・非線形プリコーディング適用時のエリア内SINRヒートマップによるモビリティ性能評価
西本 浩平 明徳内田 繁岡崎彰浩岡村 敦三菱電機RCS2017-267
第5世代移動通信方式 (5G) における空間利用の高度化に向けて,Massive MIMO (multiple-inpu... [more] RCS2017-267
pp.95-100
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
RCS, SR, SRW
(併催)
2017-03-02
11:15
東京 東京工業大学 5G低SHF帯超高密度分散アンテナシステムにおける屋内外伝搬実験結果を用いたアンテナ構成に対する特性評価
奥山達樹須山 聡増野 淳奥村幸彦NTTドコモ)・椎崎耕太郎秋山千代志富士通研)・筒井正文関 宏之箕輪守彦富士通RCS2016-311
第5世代移動通信システム(5G)における大容量化実現に向けて,超高密度分散アンテナシステムが検討されている.超高密度分散... [more] RCS2016-311
pp.133-138
RCS, SR, SRW
(併催)
2017-03-02
11:40
東京 東京工業大学 5G超高密度分散アンテナシステムにおける大容量化技術の実験的検証 ~ 広帯域マルチユーザMIMO伝送実験における屋外端末移動時の性能検証 ~
椎崎耕太郎秋山千代志富士通研)・筒井正文伊達木 隆関 宏之箕輪守彦富士通)・奥山達樹増野 淳須山 聡奥村幸彦NTTドコモRCS2016-312
第5世代移動通信システム(5G)では,セルを高密度に配置することにより単位面積あたりの容量を大幅に増大する技術が必要とさ... [more] RCS2016-312
pp.139-144
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
RCS 2016-06-23
14:25
沖縄 琉球大学 15 GHz帯を用いた5G無線アクセスの屋内環境におけるビームトラッキング特性の実験的評価
立石貴一栗田大輔原田 篤岸山祥久NTTドコモRCS2016-69
5G無線アクセスネットワークでは,急増するトラフィックに対応するため,大容量化を実現する高周波数帯を導入し,さらにMas... [more] RCS2016-69
pp.135-140
RCS, IT, SIP
(共催)
2016-01-18
11:50
大阪 関西学院大学(大阪梅田) 高速移動環境下におけるシングルキャリア時空間ブロック符号化ダイバーシチの理論解析に関する一検討
宮崎寛之安達文幸東北大IT2015-57 SIP2015-71 RCS2015-289
以前筆者らは,高速移動環境下におけるシングルキャリア(SC)時空間ブロック符号化(STBC)ダイバーシチに適したロバスト... [more] IT2015-57 SIP2015-71 RCS2015-289
pp.55-60
SDM 2015-11-06
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用
石田秀俊石田昌宏上田哲三パナソニックSDM2015-90
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] SDM2015-90
pp.35-38
ED 2015-07-25
10:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
木下治紀祢津誠晃三嶋裕一金澤 徹宮本恭幸東工大ED2015-44
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] ED2015-44
pp.39-44
EMD, CPM, OME
(共催)
2015-06-19
14:55
東京 機械振興会館 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果
叶内慎吾石塚侑己大橋優樹長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添... [more] EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
pp.23-27
SDM 2015-06-19
15:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2015-51
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] SDM2015-51
pp.69-73
MWP 2015-05-25
09:55
東京 機械振興会館 高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ受信器の高感度化と帯域幅の測定
鈴木左文忽滑谷拓郎植田裕吾大塚友絢浅田雅洋東工大MWP2015-1
本研究では、高い電流感度の実現を目指し、平面型のボウタイアンテナに短チャネルのHEMTを集積したテラヘルツ受信器を提案し... [more] MWP2015-1
pp.1-5
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