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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-10-29 to:2009-10-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-10-29 14:00 |
宮城 | 東北大学 | n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ ○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2009-117 |
MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリ... [more] | SDM2009-117 pp.1-6 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
| SDM | 2009-10-29 15:00 |
宮城 | 東北大学 | ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成 ○佐野貴洋・大西峻人・大見俊一郎（東工大） SDM2009-119 |
[more] | SDM2009-119 pp.11-14 |
| SDM | 2009-10-29 15:30 |
宮城 | 東北大学 | 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術 ○吉川和博・大橋朋貢・吉田達朗・根本剛直・大見忠弘（東北大） SDM2009-120 |
3次元チップ積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この3次元チップ積層と貫通電極(TSV)には、シリコン... [more] | SDM2009-120 pp.15-19 |
| SDM | 2009-10-29 16:15 |
宮城 | 東北大学 | Tribological Study for Low Shear Force CMP Process on Damascene Interconnects ○Xun Gu・Takenao Nemoto（Tohoku Univ.）・Yasa Adi Sampurno（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Jiang Cheng・Sian Theng（Araca,Inc.）・Akinobu Teramoto（Tohoku Univ.）・Ricardo Duyos Mateo・Leonard Borucki（Araca,Inc.）・Yun Zhuang・Ara Philipossian（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2009-121 |
[more] | SDM2009-121 pp.21-26 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| SDM | 2009-10-29 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-123 |
MOSFETの微細化，低ノイズデバイス作製のために，RTSノイズを抑制することが必要である．本報告では短時間で多数個のR... [more] | SDM2009-123 pp.31-36 |
| SDM | 2009-10-30 09:30 |
宮城 | 東北大学 | ルミネッセンス計算化学による共役系高分子中のキャリア移動の解析 ○山下 格・芹澤和実・大沼宏彰・鈴木 愛・三浦隆治・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-124 |
[more] | SDM2009-124 pp.37-38 |
| SDM | 2009-10-30 10:00 |
宮城 | 東北大学 | プラズマディスプレイ用電極保護膜の高性能化に向けた計算機シミュレーション ○芹澤和実・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・末貞和真・北垣昌規（広島大）・山下 格・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大）・宮本 明（東北大） SDM2009-125 |
プラズマディスプレイの低消費電力化のために、二次電子放出能の高いMgO保護膜の設計が求められる。しかし一般に表面の微細構... [more] | SDM2009-125 pp.39-40 |
| SDM | 2009-10-30 10:30 |
宮城 | 東北大学 | 量子化学計算とQSPR法とによるEu2+付活蛍光体の発光ピーク波長予測 ○大沼宏彰・山下 格・芹澤和実・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-126 |
[more] | SDM2009-126 pp.41-42 |
| SDM | 2009-10-30 11:00 |
宮城 | 東北大学 | Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures ○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2009-127 |
[more] | SDM2009-127 pp.43-46 |
| SDM | 2009-10-30 11:30 |
宮城 | 東北大学 | ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 ○田主裕一朗・河野陽輔・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）・村 直美・山上公久・古村雄二（フィルテック）・伊藤隆司（東北大） SDM2009-128 |
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール... [more] | SDM2009-128 pp.47-50 |
| SDM | 2009-10-30 13:00 |
宮城 | 東北大学 | SiO2膜におけるRIEダメージの修復 ○川田宣仁・永嶋賢史・市川 徹・赤堀浩史（東芝） SDM2009-129 |
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE（Reactive Ion Etching）ダメージの影響がよ... [more] | SDM2009-129 pp.51-56 |
| SDM | 2009-10-30 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Low frequency noise in Si(100) and Si(110) p-channel MOSFETs ○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2009-130 |
[more] | SDM2009-130 pp.57-62 |
| SDM | 2009-10-30 14:00 |
宮城 | 東北大学 | 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 ○永島幸延・赤堀浩史（東芝） SDM2009-131 |
現在、MOSトランジスタにおいて、微細化が進むにつれて低抵抗電極材として、メタルゲートの利用が注目されている。メタルゲー... [more] | SDM2009-131 pp.63-67 |
| SDM | 2009-10-30 14:45 |
宮城 | 東北大学 | 原子レベルでの半導体単結晶表面の湿式エッチング過程 ○板谷謹悟・小林慎一郎・文 鋭・湊 丈俊（東北大） SDM2009-132 |
半導体表面の原子レベルでの湿式エッチング過程を検討している。特に、半導体電極の電極電位を精密制御した上での電気化学エッチ... [more] | SDM2009-132 pp.69-73 |
| SDM | 2009-10-30 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション ○坪井秀行・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-133 |
シリコン表面における酸窒化膜の形成メカニズムの解明とくにその初期過程におけるNO分子やO2分子とシリコン表面の相互作用の... [more] | SDM2009-133 pp.75-76 |
| SDM | 2009-10-30 15:45 |
宮城 | 東北大学 | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） SDM2009-134 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を... [more] | SDM2009-134 pp.77-80 |
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