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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-11-27 to:2008-11-27」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 10:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 ○山口敦史（金沢工大）  ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 |
半極性・無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する... [more] | ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 pp.97-102 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析 ○中島 敦・板垣圭一・堀尾和重（芝浦工大） ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117 |
[more] | ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117 pp.103-108 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 ○酒井亮輔・岡井智隆・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 |
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] | ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 pp.109-114 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
ALDで成膜したHfO2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO2の成膜温... [more] | ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 pp.121-124 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器 ○多木俊裕・吉川俊英・金村雅仁・今西健治・牧山剛三・岡本直哉・常信和清・原 直紀（富士通/富士通研） ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 |
[more] | ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 pp.131-136 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化 ○鈴江隆晃・鈴木暢倫・野村幸靖・江川孝志（名工大） ED2008-179 CPM2008-128 LQE2008-123 |
[more] | ED2008-179 CPM2008-128 LQE2008-123 pp.137-140 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 14:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造 ○廣木正伸・前田就彦・小林 隆（NTT） ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 |
表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した．InAlNのIn組成0.13... [more] | ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 pp.141-144 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 ○石堂輝樹・松尾尚慶・片山琢磨・上田哲三・井上 薫・上田大助（パナソニック） ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 |
GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されてい... [more] | ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 pp.145-148 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術（マイクロオリガミ）を適用し，界面に生じる二次元電子ガス（2DEG）の影響を調... [more] | ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 pp.149-154 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
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