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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2017-12-01 11:00 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | 微弱ルミネッセンス計測から得られる情報 ○高田徳幸（産総研）  OME2017-40 |
微弱な光を捉え、さらに分光スペクトルを得ることは容易ではない。有機材料における酸化反応時や空間電荷の再結合時に生じる微弱... [more] | OME2017-40 pp.23-25 |
| SDM | 2015-10-30 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 ○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大） SDM2015-78 |
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] | SDM2015-78 pp.41-44 |
| SDM | 2014-10-16 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2014-85 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] | SDM2014-85 pp.7-12 |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2011-10-20 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 ○大見忠弘（東北大） SDM2011-102 |
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間，3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように，現状... [more] | SDM2011-102 pp.27-36 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules ○Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2010-10-22 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-167 |
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] | SDM2010-167 pp.61-65 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| SDM | 2009-10-30 13:00 |
宮城 | 東北大学 | SiO2膜におけるRIEダメージの修復 ○川田宣仁・永嶋賢史・市川 徹・赤堀浩史（東芝） SDM2009-129 |
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE（Reactive Ion Etching）ダメージの影響がよ... [more] | SDM2009-129 pp.51-56 |
| SDM | 2009-10-30 15:45 |
宮城 | 東北大学 | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） SDM2009-134 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を... [more] | SDM2009-134 pp.77-80 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
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