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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 14:10 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ○山田純平・水野 愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳（上智大）  ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
本研究では、様々な面方位を用いたInGaN系ナノコラム結晶の成長とそれを用いたナノコラムμ-LEDの作製に関して検討しま... [more] | ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 pp.99-102 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 ○野間友博・林 宏暁・福島大史・今野裕太・野村一郎・岸野克巳（上智大） ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 |
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である．しかしながら，含有欠陥の多さからその... [more] | ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 pp.117-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more] | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nｍ程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] | ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:55 |
福井 | 福井大学 | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 pp.13-17 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 ○田中海一・幾野敬太・葛西洋平・福永和哉（上智大）・欅田英之・江馬一弘・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） OPE2007-22 LQE2007-23 |
通信波長帯でのサブバンド間遷移（Intersubband transition：ISBT）は、LOフォノン放出により超高... [more] | OPE2007-22 LQE2007-23 pp.29-33 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 10:20 |
京都 | 京都大学 | Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） |
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト... [more] | ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 pp.63-67 |
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