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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 14:10 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用 ○古閑一憲・徐 鉉雄・板垣奈穂・白谷正治（九大）  SDM2017-2 OME2017-2 |
我々は、マルチホロー放電プラズマCVD法を開発し、サイズ・構造制御した結晶Siナノ粒子の連続作製に成功した。この方法では... [more] | SDM2017-2 OME2017-2 pp.5-8 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:25 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 ○市村 進・内田秀雄・脇田紘一（中部大）・林 靖彦（岡山大）・梅野正義（中部大） ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 |
本研究に置いては，グラフェンをバイオセンサ、生体適合材料として応用する事を主眼に置き研究を進めた。信頼性の観点、電気伝導... [more] | ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 pp.5-10 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-197 SDM2010-232 |
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] | ED2010-197 SDM2010-232 pp.31-36 |
| SDM | 2011-02-07 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 ○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST） SDM2010-220 |
グラフェンを低温（400℃以下）、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制... [more] | SDM2010-220 pp.25-30 |
| SDM | 2011-02-07 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 ○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研） SDM2010-222 |
Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、... [more] | SDM2010-222 pp.37-42 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 17:05 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正（九大） SDM2009-7 OME2009-7 |
プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とそ... [more] | SDM2009-7 OME2009-7 pp.29-34 |
| ED | 2009-04-24 13:25 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長 ○村重正悟・松本光正・稲吉陽平・末光眞希（東北大）・中嶋節男・上原 剛（積水化学）・豊島安健（産総研） ED2009-15 |
パルス電界常圧プラズマCVD法を用いてPET基板上に多結晶Si(Poly-Si)成長を行い，Raman散乱分光法および透... [more] | ED2009-15 pp.63-67 |
| SDM | 2007-10-05 13:10 |
宮城 | 東北大学 | マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作 ○廣江昭彦・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2007-186 |
マイクロ波(2.45GHz)励起プラズマCVDを用いて、微結晶シリコンのデポを行った。デポ条件を変えて成膜を行い、(22... [more] | SDM2007-186 pp.41-44 |
| CPM | 2007-08-09 15:45 |
山形 | 山形大学 | DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 奥山博基・園村拓也・岩田展幸・○山本 寛（日大） CPM2007-41 |
CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CN... [more] | CPM2007-41 pp.27-32 |
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