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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT | 2024-03-14 16:00 |
京都 | 京都大学(宇治キャンパス) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
水中ワイヤレス給電研究のプラットホーム作りにおける課題 ～ 水路の共振とその排除法 ～ ○粟井郁雄（富士ウェーブ）・村上凌平・日野竣介・岡本昌幸（宇部高専）  WPT2023-44 |
水の持つ高誘電率性を利用して電界結合型ワイヤレス給電（WPT）システムの結合係数を大きくし、それによって給電効率を上げよ... [more] | WPT2023-44 pp.49-54 |
| EMCJ | 2022-04-15 14:45 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
薄膜高誘電率基板を用いた低インピーダンスPDNによるクロストーク抑制効果の解析 ○北澤太基・キム ヨンウ・藤本大介・林 優一（奈良先端大） EMCJ2022-5 |
高インピーダンス電源供給ネットワーク (PDN: Power Delivery Network) に起因して生じるクロス... [more] | EMCJ2022-5 pp.25-30 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 15:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 水路航行船に対する3枚の電極による無線電力伝送 ○辻村智寛・張 陽軍（龍谷大）・粟井郁雄（リューテック） WPT2020-24 |
水の高誘電率という特徴は電界結合型の無線電力伝送システムにおいて結合を強化させる効果が期待できるが、電極配置によっては不... [more] | WPT2020-24 pp.30-35 |
| WPT, EE (併催) |
2019-10-10 11:10 |
滋賀 | 龍谷大学瀬田キャンパス RECホール (小ホール) | 閉じ込められた水によるワイヤレス給電の可能性について ○粟井郁雄（リューテック） WPT2019-37 |
何らかの容器に閉じ込めた水は非常に高い誘電率と液体であると言う特徴によってワイヤレス給電の媒体となる。容器の端部に励振源... [more] | WPT2019-37 pp.59-62 |
| ED | 2019-04-18 13:00 |
宮城 | 東北大・通研 | 低温イットリア原子層堆積法による絶縁膜の試作と評価 ○齋藤健太郎・吉田一樹・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2019-1 |
イットリア(Y2O3)は高誘電率材料であるため、MOSFET のゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来の Y2O3 ... [more] | ED2019-1 pp.1-4 |
| EMCJ, WPT (併催) |
2018-06-15 11:25 |
長崎 | 長崎県総合福祉センター | ワイヤレス給電における自動整合回路の検討 ○管野正喜（ビフレステック）・重谷寿士・森戸健太郎（太陽誘電） WPT2018-16 |
磁界共鳴方式の6.78MHz ワイヤレス給電システム用電圧制御可変容量素子(Voltage Controlled Tun... [more] | WPT2018-16 pp.31-36 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| MW | 2013-12-20 09:25 |
埼玉 | 埼玉大学 | ミリ波帯埋め込み型高誘電率伝送線路の検討 黒木太司・○北林 智（呉高専） MW2013-165 |
ミリ波帯域における低損失な伝送線路の作成を目的として、低分散特性を示す帯域内では低損失かつ高誘電率材料の誘電正接の影響を... [more] | MW2013-165 pp.81-84 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| AP, SAT (併催) |
2009-07-08 10:30 |
北海道 | 小樽市民会館 | 5GHz帯に阻止帯域を有するUWB用葉状ボウタイアンテナ ○松嶋俊和・山本 学・野島俊雄（北大） AP2009-44 |
既存の無線システムに比べて広帯域の周波数資源を用いて通信を行うUWB無線システムは，室内等の近距離で高速情報伝送を実現す... [more] | AP2009-44 pp.1-6 |
| SDM | 2009-06-19 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-42 |
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] | SDM2009-42 pp.87-92 |
| AP, SAT (併催) |
2008-07-23 16:15 |
北海道 | 北海道大学 | 高誘電率基板を用いたUWB葉状ボウタイアンテナの小型化 ○松嶋俊和・山本 学・野島俊雄（北大） AP2008-49 |
本報告は，UWB無線用葉状ボウタイアンテナについて，高誘電率基板の利用による小型化の検討を行っている．比誘電率が10.2... [more] | AP2008-49 pp.75-80 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
| ED | 2008-06-13 14:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） ED2008-25 |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] | ED2008-25 pp.17-22 |
| SDM | 2008-06-10 13:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2008-54 |
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] | SDM2008-54 pp.71-75 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ ○徳光永輔・柴田 宏・大岩朝洋・近藤洋平（東工大） SDM2008-11 OME2008-11 |
強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料... [more] | SDM2008-11 OME2008-11 pp.51-56 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大） R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] | R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 pp.1-6 |
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