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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-09 13:10 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］最先端ロジックデバイスの最新動向とプロセス技術 ○山本知成（東京エレクトロン）  SDM2023-64 |
[more] | SDM2023-64 pp.8-9 |
| IMQ, IE, MVE (共催) CQ (併催) [詳細] |
2023-03-17 10:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館（那覇市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Wiped-Rate Estimation for Semiconductor Manufacturing Using DNN Based on 3D Body Tracking ○Takehiro Nagata（Univ. of Tsukuba）・Li-Wei Cheng（NCKU）・Hidehiko Shishido（Univ. of Tsukuba）・Hyejin Kim・Chanya Mahapun・Naoki Yoshii・Tsuyoshi Moriya（TEL）・Itaru Kitahara（Univ. of Tsukuba） IMQ2022-67 IE2022-144 MVE2022-97 |
[more] | IMQ2022-67 IE2022-144 MVE2022-97 pp.235-240 |
| SDM | 2023-02-07 11:25 |
東京 | 東京大学 武田ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］2nm世代以降のロジックデバイスにむけた先端プロセス技術 ○山本知成（東京エレクトロン） SDM2022-87 |
[more] | SDM2022-87 pp.9-12 |
| SDM | 2022-02-04 09:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］SAMを用いた次世代ダマシンインテグレーション ○永井洋之・岩下光秋・菊地裕樹（東京エレクトロン）・河崎洋章・ギアナ パッタナイク（TEL Technology Center, America）・藤田啓一（東京エレクトロン九州）・岩井和俊（Tokyo Electron America）・小松裕之・尾崎優貴（JSR） SDM2021-75 |
SAMを用いてCu拡散バリアを絶縁膜上へ選択的に成膜し、Cuダマシン配線を形成した。この構造ではVia底バリアメタルが無... [more] | SDM2021-75 pp.5-8 |
| SDM | 2021-06-22 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） SDM2021-22 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2021-22 pp.1-6 |
| SDM | 2020-10-22 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス ○熊倉 翔（東京エレクトロン宮城） SDM2020-14 |
[more] | SDM2020-14 pp.1-6 |
| SDM | 2020-10-22 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） SDM2020-19 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2020-19 pp.25-29 |
| SDM | 2020-02-07 11:20 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］高精度デュアルダマシン加工技術 藤川 誠・山口達也（TTS）・菊地裕樹・前川 薫（TEL Technology Center, America）・河崎洋章・○飯塚洋二（東京エレクトロン） SDM2019-92 |
Abstract— Plasma induced damage on porous low-k dielectrics ... [more] | SDM2019-92 pp.21-23 |
| SDM | 2019-10-23 13:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) ○熊倉 翔・木原嘉英・本田昌伸（東京エレクトロン宮城） SDM2019-53 |
Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの... [more] | SDM2019-53 pp.1-6 |
| SDM | 2019-02-07 10:05 |
東京 | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 | ［招待講演］高精度デュアルダマシン加工技術 ○早川 崇・藤川 誠（東京エレクトロン）・野沢秀二・山口達也（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ） |
[more] | |
| SDM | 2017-02-06 11:15 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成 ○中塚 理（名大）・渡部佳優（東京エレクトロン）・鈴木陽洋（名大）・西 義雄（Stanford大）・財満鎭明（名大） SDM2016-141 |
[more] | SDM2016-141 pp.11-15 |
| SDM | 2016-10-26 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高濃度ドーピングされた（100）方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術 ○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・須川成利（東北大）・鈴木大介・千葉洋一郎・石井勝利・清水 亮・長谷部一秀（東京エレクトロン東北） SDM2016-70 |
[more] | SDM2016-70 pp.9-14 |
| SDM | 2015-10-30 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 ○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡（TEL TDC） SDM2015-76 |
Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650～850度程度の低温熱処... [more] | SDM2015-76 pp.29-33 |
| SDM | 2014-02-28 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］大口径中性粒子ビームCVDを用いたノンポーラスULK-SiOCH膜 ○菊地良幸（東京エレクトロン/東北大）・寒川誠二（東北大） SDM2013-165 |
[more] | SDM2013-165 pp.1-5 |
| SDM | 2013-06-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 ○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村 孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-59 |
[more] | SDM2013-59 pp.77-80 |
| EMCJ (第二種研究会) |
2012-11-30 13:50 |
東京 | 情報通信研究機構 小金井本部 | Transient voltage measurement on a PC Board exposed by a small gap spark discharge ○Satoshi Isofuku（TET）・Masamitsu Honda（IPL） |
[more] | |
| SAT | 2011-12-12 15:45 |
愛知 | 名古屋大学 | Evaluation of Sub-meter Class Augmentation System by L1-SAIF+ and the Summary of Demonstration Experiments with "MICHIBIKI" ○Ryo Iwama（SPAC）・Hiroshi Soga・Kimikazu Odagawa（NEC）・Yasuhiro Masuda・Tomoya Osawa・Akira Ito・Mitsuhiro Matsumoto（TECS） SAT2011-50 |
2010年に宇宙航空研究開発機構(JAXA)殿により打ち上げられた準天頂衛星初号機「みちびき」は,GPS補完信号のみなら... [more] | SAT2011-50 pp.71-76 |
| ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (連催) (連催) [詳細] |
2011-07-13 13:50 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | 循環ベクトル乗算アルゴリズムの省メモリ実装 ○高橋龍介・根角健太・高井悠輔・野上保之・籠谷裕人（岡山大）・成田 隆（東京エレクトロンデバイス） ISEC2011-25 SITE2011-22 ICSS2011-30 EMM2011-24 |
著者らは標数と拡大次数に対して柔軟に対応できるような拡大体上乗算アルゴリズムとして，循環ベクトル乗算アルゴリズム(CVM... [more] | ISEC2011-25 SITE2011-22 ICSS2011-30 EMM2011-24 pp.145-150 |
| SDM | 2007-10-04 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 先端ＤＲＡＭでのＳｉＯＮゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について ○村川惠美（東京エレクトロン/東北大）・竹内政志・本田 稔・石塚修一・中西敏雄・廣田良浩（東京エレクトロンAT）・菅原卓也・田中義嗣・赤坂泰志（東京エレクトロン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2007-175 |
プラズマ窒化によるＳｉＯＮゲート絶縁膜形成において、高分解ＲＢＳによって校正されたＡＲ－ＸＰＳを用いて絶縁膜中窒素濃度分... [more] | SDM2007-175 pp.11-14 |
| SDM | 2007-10-05 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 ○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） SDM2007-183 |
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とC... [more] | SDM2007-183 pp.31-34 |
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