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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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次世代産業システム (IEE-IIS)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
LQE
,
OPE
,
CPM
,
EMD
,
R
(共催)
2023-08-24
14:25
宮城
東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]InP系バットジョイント導波路型受光素子の開発進展
○
沖本拓也
・
八木英樹
(
住友電工
)・
米田昌博
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
R2023-21 EMD2023-16 CPM2023-26 OPE2023-65 LQE2023-12
データセンタ向け通信需要の増大とBeyond 5Gネットワーク開発の進展を支えるために,光ファイバ通信の大容量化が強く求...
[more]
R2023-21
EMD2023-16
CPM2023-26
OPE2023-65
LQE2023-12
pp.30-33
PN
2022-11-07
14:35
高知
高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]異方性エッチングを用いた二段導波路型スポットサイズ変換器
○
田中 肇
(
住友電工
)・
山日竜二
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
北村崇光
(
住友電工デバイス・イノベーション/住友電工
)・
堀野和彦
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
石川 務
(
住友電工
)・
江川 満
(
住友電工デバイス・イノベーション/住友電工
)
PN2022-25
年々増加する通信量に対応するため,コヒーレント通信は従来の遠距離通信から都市間・都市内やデータセンターなどの中~近距離に...
[more]
PN2022-25
pp.22-27
R
,
LQE
,
OPE
,
CPM
,
EMD
(共催)
2020-08-28
13:55
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]IMDD/デジタルコヒーレント伝送用InP系導波路型受光素子
○
米田昌博
・
沖本拓也
(
住友電工
)・
芦澤 建
・
海老原幸司
・
岡本 悟
・
堀野和彦
(
SEDI
)・
八木英樹
・
江川 満
(
住友電工
)
R2020-13 EMD2020-12 CPM2020-5 OPE2020-25 LQE2020-5
400Gb/s超光伝送システムを構成する受信器では, 強度変調-直接検波(IMDD)伝送方式, ならびにデジタルコヒーレ...
[more]
R2020-13
EMD2020-12
CPM2020-5
OPE2020-25
LQE2020-5
pp.21-24
MW
,
ED
(共催)
2019-01-18
10:40
東京
日立中研
高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析
○
四田泰代
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
舘野泰範
・
米村卓巳
・
古川将人
・
山本 洋
(
住友電工
)・
野瀬幸則
・
清水 聡
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
ED2018-81 MW2018-148
本研究の目的は,高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について,デバイス内部の応力・結晶歪に着目し,シ...
[more]
ED2018-81
MW2018-148
pp.67-70
MW
,
ED
(共催)
2019-01-18
11:05
東京
日立中研
高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析
○
舘野泰範
(
住友電工
)・
四田泰代
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
山本 洋
・
中林隆志
(
住友電工
)
ED2018-82 MW2018-149
高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高...
[more]
ED2018-82
MW2018-149
pp.71-74
LQE
,
OPE
,
SIPH
(共催)
2018-12-06
10:15
東京
慶應義塾大学
[奨励講演]400G超コヒーレント伝送システムに向けたInP系導波路型フォトダイオードの広帯域・高感度動作
○
沖本拓也
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
八木英樹
(
住友電工
)・
増山竜二
・
櫻井謙司
・
西本頼史
・
堀野和彦
・
渡邊孝幸
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
江川 満
(
住友電工
)・
米田昌博
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
OPE2018-97 LQE2018-107 SIPH2018-13
400Gbpsを超えるコヒーレント伝送システムの高速化に伴い, 受信器に搭載される受光素子には, 周波数応答(3dB-帯...
[more]
OPE2018-97
LQE2018-107
SIPH2018-13
pp.1-5
LQE
2018-07-12
15:45
北海道
北海道大学
[招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望 ~
○
八木英樹
・
井上尚子
(
住友電工
)・
沖本拓也
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
菊地健彦
(
住友電工
)
LQE2018-27
近年, 大容量・長距離伝送に有利なデジタルコヒーレント光伝送方式は広く展開されており, 適用範囲は長距離幹線網からメトロ...
[more]
LQE2018-27
pp.29-32
LQE
2018-02-23
13:15
神奈川
古河電工横浜事業所
[招待講演]通信用受光素子の実用化に向けた開発コンセプト
○
米田昌博
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
LQE2017-154
受光素子(PD/APD)は, 情報通信インフラを構成する上で, 半導体レーザなどの発光素子とともに必要不可欠な素子であり...
[more]
LQE2017-154
pp.15-18
R
,
EMD
,
CPM
,
LQE
,
OPE
(共催)
2017-09-01
15:00
青森
弘前文化センター
400G超コヒーレント伝送システムの実現に向けたInP系90°ハイブリッド集積型受光素子の広帯域・高感度動作
○
沖本拓也
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
八木英樹
(
住友電工
)・
増山竜二
・
櫻井謙司
・
西本頼史
・
堀野和彦
・
渡邊孝幸
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
江川 満
(
住友電工
)・
米田昌博
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
R2017-40 EMD2017-34 CPM2017-55 OPE2017-64 LQE2017-37
400 Gbpsを超える大容量コヒーレント伝送システムの実現に向けては,コヒーレントレシーバに搭載する受光素子において,...
[more]
R2017-40
EMD2017-34
CPM2017-55
OPE2017-64
LQE2017-37
pp.73-76
LQE
,
OPE
,
EMD
,
R
,
CPM
(共催)
2016-08-26
13:45
北海道
函館ロワジールホテル
小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型受光素子の低チャネル間感度偏差
○
八木英樹
(
住友電工
)・
沖本拓也
・
増山竜二
・
櫻井謙司
・
西本頼史
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
菊地健彦
(
住友電工
)・
堀野和彦
・
渡邊孝幸
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
江川 満
・
武智 勝
(
住友電工
)・
米田昌博
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
R2016-40 EMD2016-44 CPM2016-53 OPE2016-74 LQE2016-49
メトロアクセスネットワーク向け小型・省電力コヒーレントトランシーバでは, レシーバの小型化・低コスト化が求められる.これ...
[more]
R2016-40
EMD2016-44
CPM2016-53
OPE2016-74
LQE2016-49
pp.105-108
ED
2016-01-20
15:55
東京
機械振興会館
[依頼講演]高周波用GaN-HEMTの開発
○
川合貴久
(
SEDI
)
ED2015-120
[more]
ED2015-120
pp.49-54
MW
,
ED
(共催)
2015-01-16
10:00
東京
機械振興会館
X帯310W高出力GaN HEMT増幅器
○
菊池 憲
・
西原 信
・
山本 洋
・
水野慎也
・
八巻史一
・
山本高史
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
ED2014-126 MW2014-190
GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する.
X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて...
[more]
ED2014-126
MW2014-190
pp.53-58
ED
,
MW
(共催)
2014-01-17
14:20
東京
機械振興会館
3-D WLCSP MMICを使用したE-band送信・受信モジュール
○
塚島光路
・
久保田 幹
・
馬場 修
・
川崎 健
・
與那嶺 淳
・
徳満恒雄
(
住友電工
)・
長谷川裕一
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
ED2013-131 MW2013-196
[more]
ED2013-131
MW2013-196
pp.121-124
ED
,
MW
(共催)
2012-01-12
15:10
東京
機械振興会館
L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
○
菊池 憲
・
八巻史一
・
井上和孝
(
住友電工
)・
西 眞弘
・
生松 均
・
宇井範彦
・
蛯原 要
・
新田 敦
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
佐野征吾
(
住友電工
)
ED2011-138 MW2011-161
L/S帯GaN HEMTの耐久性および信頼性を評価した.耐久性に関しては,チャネル温度200℃での動作において十分広い安...
[more]
ED2011-138
MW2011-161
pp.107-110
ED
,
MW
(共催)
2012-01-12
16:25
東京
機械振興会館
X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発
○
西原 信
・
山本高史
(
住友電工デバイス・イノベーション
)・
水野慎也
・
佐野征吾
(
住友電工
)・
長谷川裕一
(
住友電工デバイス・イノベーション
)
ED2011-141 MW2011-164
X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅1...
[more]
ED2011-141
MW2011-164
pp.121-123
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