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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2024-04-11 10:45 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］SRAMエントロピー源とSPN構造により100ビット出力空間とモデリング攻撃耐性を両立したストロングPUF ○劉 昆洋（京大）・唐 芸琛（レノボ）・徐 舒帆・新津葵一（京大）・篠原尋史（早大）  ICD2024-2 |
Strong physically unclonable function (Strong PUF) is a hard... [more] | ICD2024-2 p.7 |
| ICD | 2023-04-10 16:05 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］SRAMウィークPUFに基づいた秘密置換を利用したエッジデバイスセキュリティ向けストロングPUF ○劉 昆洋・篠原尋史（早大） ICD2023-7 |
[more] | ICD2023-7 p.15 |
| HWS, ICD (共催) [詳細] |
2021-10-19 11:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 複数エントロピー源の排他的論理和によるTRNGの耐性強化 ～ ミスマッチ雑音比を用いた統計的計算 ～ ○張 瑞琳・篠原尋史（早大） HWS2021-45 ICD2021-19 |
[more] | HWS2021-45 ICD2021-19 pp.23-25 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］情報セキュリティのためのラッチ形静的および動的乱数発生回路 ○篠原尋史・劉 昆洋・張 瑞琳・王 興宇（早大） SDM2021-42 ICD2021-13 |
自然現象を利用した乱数発生回路には、静的乱数を生成するPUF (Physical Unclonable Function... [more] | SDM2021-42 ICD2021-13 pp.64-67 |
| ICD | 2018-04-20 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］情報セキュリティのためのランダム回路 ○篠原尋史（早大） ICD2018-11 |
[more] | ICD2018-11 p.45 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:45 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉（東大）・篠原尋史（早大）・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2017-38 ICD2017-26 |
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する．記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] | SDM2017-38 ICD2017-26 pp.49-54 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 11:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］0.5V動作低エネルギー回路と応用 ○篠原尋史（半導体理工学研究センター） SDM2012-67 ICD2012-35 |
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] | SDM2012-67 ICD2012-35 pp.23-28 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 12:55 |
富山 | 富山県民会館 | ［招待講演］エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術 ○高宮 真・石田光一・更田裕司（東大）・野村昌弘・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） SDM2011-88 ICD2011-56 |
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] | SDM2011-88 ICD2011-56 pp.87-92 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:30 |
富山 | 富山県民会館 | 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証 ○更田裕司（東大）・平入孝二（半導体理工学研究センター）・安福 正・高宮 真（東大）・野村昌弘・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） SDM2011-95 ICD2011-63 |
[more] | SDM2011-95 ICD2011-63 pp.127-132 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD | 2010-04-22 10:50 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-3 |
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more] |
ICD2010-3 pp.13-16 |
| ICD | 2008-12-12 16:35 |
東京 | 東工大（大岡山）国際交流会館 | [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案 ○鹿嶋一生・鈴木弘明・栗本昌憲（ルネサステクノロジ）・山中唯生（ルネサスデザイン）・高田英裕（ルネサステクノロジ）・牧野博之（阪工大）・篠原尋史（ルネサステクノロジ） ICD2008-128 |
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] | ICD2008-128 pp.137-142 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ） SDM2008-178 |
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] | SDM2008-178 pp.55-60 |
| VLD | 2008-09-29 13:30 |
石川 | 金沢商工会議所会館 | ［招待講演］エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法 ○栗本昌憲・鈴木弘明（ルネサステクノロジ）・秋山 励・山中唯生・大熊晴之（ルネサスデザイン）・高田英裕・篠原尋史（ルネサステクノロジ） VLD2008-47 |
[more] | VLD2008-47 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| ICD | 2007-04-13 09:40 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die ○Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Kazushi Kono（Renesas Technology）・Yuji Oda（Shikino High-Tech）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Keiichi Usui（Daioh Electric）・Toshiaki Yonezu・Takeshi Iwamoto・Koji Nii・Yasumasa Tsukamoto・Masashi Arakawa・Takahiro Uchida・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology） ICD2007-11 |
[more] | ICD2007-11 pp.59-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] | SDM2006-148 ICD2006-102 pp.133-136 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 14:35 |
北海道 | 北海道大学 | 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 ○薮内 誠・大林茂樹・新居浩二・塚本康正（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・五十嵐元繁・竹内雅彦・川島 光・牧野博之・山口泰男・塚本和宏・犬石昌秀・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
[more] | SDM2006-151 ICD2006-105 pp.149-153 |
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