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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:15 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 ○大野泰夫・伊藤弘子・平岡知己（レーザーシステム）・東脇正高（阪公立大） |
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| MW | 2023-12-22 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ショットキーバリアダイオードの抵抗と整流効率の関係に関する一検討 ○原 信二・作野圭一・丹波憲之（名大）  MW2023-155 |
本報告では、ダイオードを用いた倍電圧方式の整流回路において、理想ダイオードに直流パラメータを付加した場合の入力インピーダ... [more] | MW2023-155 pp.35-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 |
GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオン... [more] | ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 pp.33-35 |
| WPT | 2019-03-08 14:55 |
京都 | 京都大学宇治キャンパス | 大電力用整流回路製作に向けたGaNショットキーダイオードの高周波モデルに関する研究 ○平川 昂・篠原真毅（京大） WPT2018-91 |
大電力マイクロ波無線電力伝送技術は、走行車両への無接触給電や、宇宙太陽発電所など、新たなアプリケーションを可能とする。 ... [more] |
WPT2018-91 pp.137-140 |
| WPT | 2016-03-08 09:50 |
京都 | 京都大学宇治キャンパス | GaNショットキーバリアダイオードを用いた数十W級大電力整流回路の開発 ○西村貴希・三谷友彦・篠原真毅（京大）・岡田政也・善積祐介・上野昌紀（住友電工） WPT2015-87 |
本研究ではGaNショットキーバリアダイオードを用い、大電力のマイクロ波無線送電システムのための整流回路の開発を目的とする... [more] | WPT2015-87 pp.61-65 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| ED | 2016-01-20 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ○大野泰夫（レーザーシステム） ED2015-117 |
GaN系電子デバイスはパワーデバイスとしても優れた特性を持つが、大きなインパクトを持つ応用が現れていない。一方で携帯機器... [more] | ED2015-117 pp.31-35 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| WPT | 2014-06-06 14:20 |
東京 | 東京大学 | レクテナ用GaNショットキーバリアダイオードの試作 ○藤原暉雄・小澤雄一郎・田中直浩（IHIエアロスペース）・葛原正明（福井大）・藤森和博（岡山大）・八木修一（POWDEC）・内藤圭亮（日本電業工作）・三原荘一郎・中村修治（宇宙システム開発利用推進機構） WPT2014-26 |
将来の宇宙太陽光発電システムにおいて克服すべき重要な技術課題の一つに受電システムにおけるRF/DC変換効率の高効率化があ... [more] | WPT2014-26 pp.11-16 |
| ED | 2012-12-18 12:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL） ED2012-107 |
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに... [more] | ED2012-107 pp.77-82 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| ED | 2008-12-20 11:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ［招待講演］UTC-PDと集積化可能なTHz帯動作InP系ショットキーバリアダイオード ○伊藤 弘（北里大）・古田知史（NTT） ED2008-196 |
ショットキーバリアダイオード（SBD）は、室温で動作する高周波検波素子として広く用いられている。本報告では、SBDと「単... [more] | ED2008-196 pp.59-64 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:40 |
京都 | 京都大学 | 擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード ○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
窒化ガリウム（GaN）は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] | ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60 pp.23-27 |
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