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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-12
13:25
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]5-Bit/2Cell(X2.5), 7-Bit/2Cell(X3.5), 9-Bit/2Cell(X4.5) NAND型フラッシュメモリ:ハーフビット技術
柴田 昇内川浩典澁谷泰良仲井健理栁平康輔井上裕文キオクシアICD2024-13
高信頼性及び高性能を確保し低コスト化のため、X3.5(7bits/2cells)フラッシュメモリを提案する。7ビットは、... [more] ICD2024-13
p.42
SDM 2024-01-31
13:35
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
田上政由キオクシアSDM2023-76
近年、3D積層デバイスは、性能向上(performance)、電力低減(power)、面積削減(area)、コスト削減(... [more] SDM2023-76
pp.9-12
ICD 2023-04-10
10:20
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上
田中 瞳饗場悠太前田高志澤 敬一菊島史恵佐貫朋也キオクシア
本報告では,単結晶チャネルと液体窒素を用いた77 Kでの極低温動作の組み合わせにより,3次元フラッシュメモリのセルトラン... [more]
ICD 2023-04-11
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read
田中智晴MMJICD2023-9
メモリセル当たり4ビット(QLC)の記憶方式を用いた、1Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] ICD2023-9
p.17
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
11:45
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討
諸岡 哲石川貴之小村政則加藤竜也小山幸紀韓 業飛菅原陽平桑原大輔新屋敷悠介村山昭之西山勝哉杉前紀久子小倉達郎竹田 裕刈谷奈由太合木悠佑小沼将大神谷優太山下博幸滋賀秀裕板垣清太郎田中里英子前田高志大谷紀雄藤原 実キオクシアSDM2022-36 ICD2022-4
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] SDM2022-36 ICD2022-4
p.12
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路の研究 ~ 従来のLUT方式、平面型との比較 ~
鈴木章矢渡辺重佳湘南工科大SDM2018-43 ICD2018-30
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい回路設計を提案した。また従来の方式(平面型LUT方式、積層型LUT方式)と提... [more] SDM2018-43 ICD2018-30
pp.95-100
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMCICD2018-10
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
ICD 2010-04-23
13:45
神奈川 湘南工大 [招待講演]3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース
石黒仁揮黒田忠広慶大ICD2010-16
3次元システム集積化のための積層チップ間インターフェースとして、磁界結合方式を用いた低コスト、小面積、低電力、広帯域の非... [more] ICD2010-16
pp.83-88
ICD 2010-04-23
15:40
神奈川 湘南工大 [依頼講演]2Gb/s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース
齊藤美都子三浦典之黒田忠広慶大ICD2010-19
チップ128枚螺旋階段積層を用いて積層した。コントローラは8枚チップを貫通してリレー伝送し所望のメモリチップにアクセスす... [more] ICD2010-19
pp.99-102
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
09:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Future High Density Memory with Vertical Structured Device Technology
Tetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-95 SDM2009-90
 [more] ED2009-95 SDM2009-90
pp.193-196
ICD 2009-04-14
14:35
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路
安福 正石田光一東大)・宮本晋示中井弘人東芝)・高宮 真桜井貴康竹内 健東大ICD2009-10
NANDフラッシュSSD向けの電源回路にブーストコンバータを用いることを提案し、その制御方法として、周波数、デューティを... [more] ICD2009-10
pp.47-52
MVE, IE
(共催)
2006-07-14
14:45
石川 金沢大学 LEDアレイ回転型ボリューム3Dディスプレイと3D映像コンテンツ作成アプリケーションソフトウェア
河崎正樹渡辺弥寿夫山口拓見坂本康正金沢工大
垂直方向にLEDを多数並べたアレイを,円盤の上に螺旋状にずらしながら配置し,その円盤を回転させ,3Dビットマップイメージ... [more] IE2006-35 MVE2006-41
pp.47-50
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