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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2023-10-20 10:00 |
山形 | 山形大学（米沢市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
2入力GaN増幅器のアウトフェージング増幅器モードの高効率化の検討 ○谷津田臣呂・松尾理己人・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機）  EMCJ2023-59 MW2023-113 EST2023-86 |
2入力GaN増幅器を用いて周波数ごとにドハティおよびアウトフェージング増幅器モードを切り替えて4G/5Gの広帯域な周波数... [more] | EMCJ2023-59 MW2023-113 EST2023-86 pp.125-130 |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| SANE | 2023-05-23 10:10 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMT が実現する広帯域・高出力・低消費電力マイクロ波高出力増幅器 ○桑田英悟・神岡 純・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） SANE2023-3 |
観測・通信・測位に用いられているマイクロ波の送信系統は, 電子管方式から半導体方式への置き換えが進んでいる. その大きな... [more] | SANE2023-3 pp.12-17 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 11:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 ○中川祐希・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機） ED2022-89 MW2022-148 |
800MHzから4.8GHzまでの4GHz幅をカバーする4G/5G基地局用広帯域GaN増幅器を研究している．周波数帯域毎... [more] | ED2022-89 MW2022-148 pp.19-24 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 15:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］シェアリング基地局用送信増幅器についての検討 ○山中宏治・小松崎優治・坂田修一・齋木研人（三菱電機）・加保貴奈（湘南工科大） ED2022-96 MW2022-155 |
5Gの次の世代の通信方式であるポスト5Gにおいて、基地局を共用化（シェアリング）することで基地局設置コストを低減すること... [more] | ED2022-96 MW2022-155 p.50 |
| MW, ICD (共催) |
2017-03-03 13:20 |
岡山 | 岡山県立大学 | ［特別講演］2個のトランジスタによる電流帰還対を用いた広帯域増幅器 ○丸山有彗・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2016-210 ICD2016-140 |
2016年度学生マイクロ波回路設計試作コンテストのテーマは広帯域増幅器の設計試作であった． 増幅器の広帯域化の手段とし... [more] |
MW2016-210 ICD2016-140 pp.123-126 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 09:05 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | スーパールミネッセントダイオードを用いた1.8 μm帯広帯域光源 ○山田 誠・辻田 翔・太田和哉・小野 純（阪府大）・三瀬一明・下瀬佳治・森 浩（アンリツ）・千田孝祐・花藤文希・杜 暁恩・小山長規（阪府大） PN2015-34 EMT2015-85 OPE2015-147 LQE2015-134 EST2015-91 MWP2015-60 |
1.8μm帯で動作する広帯域光源として，スーパールミネッセントダイオード(SLD)とTm3+添加ファイバ増幅器(TDFA... [more] | PN2015-34 EMT2015-85 OPE2015-147 LQE2015-134 EST2015-91 MWP2015-60 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | X帯310W高出力GaN HEMT増幅器 ○菊池 憲・西原 信・山本 洋・水野慎也・八巻史一・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション） ED2014-126 MW2014-190 |
GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する． X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて... [more] |
ED2014-126 MW2014-190 pp.53-58 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏（三菱電機） MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] | MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 pp.1-5 |
| MW | 2014-03-05 13:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール ○紫村輝之・山本和也・関 博昭・檜枝護重・平野嘉仁（三菱電機） MW2013-218 |
WCDMA端末用電力増幅器モジュール(PAM)の低コスト化を図るため、Si/GaAs混載構造を用いてシングルバンド(SB... [more] | MW2013-218 pp.123-128 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］小型かつFR4基板で広帯域を達成したマイクロ波増幅器 ○南 昂孝・大平 孝（豊橋技科大） ED2013-110 MW2013-175 |
2013年度学生マイクロ波回路設計試作コンテストに向けて試作した広帯域増幅器の設計・試作について報告する． ソース抵抗... [more] |
ED2013-110 MW2013-175 pp.5-8 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］抵抗でバイアス回路の影響を抑えた広帯域2段増幅器 ○吉川修平・石崎俊雄（龍谷大） ED2013-112 MW2013-177 |
2013年度学生マイクロ波回路製作コンテストのために設計試作した広帯域増幅器について報告する．今回トランジスタの種類・個... [more] | ED2013-112 MW2013-177 pp.15-18 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］回路実装における寄生成分の高精度モデル化を行った広帯域2段アンプ設計 ○澤原裕一・石崎俊雄（龍谷大） ED2013-113 MW2013-178 |
プラスチックパッケージ入りの高周波用トランジスタを用いて広帯域2段増幅器の設計・作製を行った。トランジスタパッケージにセ... [more] | ED2013-113 MW2013-178 pp.19-24 |
| MW | 2013-12-20 14:20 |
埼玉 | 埼玉大学 | λ/4インバータを用いない小型・広帯域並列負荷型 GaN HEMT ドハティ電力増幅器 ○井口洋輔・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2013-173 |
マイクロ波ドハティ増幅器は，従来，キャリア増幅器(CA)とピーク増幅器(PA)，及びλ/4インピーダンス変換回路により構... [more] | MW2013-173 pp.121-126 |
| SANE | 2013-12-02 16:30 |
海外 | VAST/VNSC(1日目) & Melia Hotel, Hanoi（2日目） | Development of a 20W class X-band Amplifier using GaN HEMT Technology for Space Use ○Mitsuhiro Nakadai・Johta Awano・Masaaki Shimada（JAXA）・Masahiro Funabashi（NTSpace） SANE2013-92 |
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) has developed a 20... [more] | SANE2013-92 pp.121-126 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦（住友電工デバイスイノベーション） ED2012-120 MW2012-150 |
携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した．本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN... [more] | ED2012-120 MW2012-150 pp.45-48 |
| MW | 2012-11-21 14:00 |
沖縄 | 石垣島 | 一般化した出力結合条件による小型・広帯域マイクロ波ドハティ増幅器構成の提案 ○高山洋一郎・本城和彦（電通大） MW2012-115 |
ドハティ増幅器は基本構成要素として四分の一波長インピーダンス反転回路，ピーク増幅器のoff時出力インピーダンス調整線路及... [more] | MW2012-115 pp.7-12 |
| MW | 2012-10-18 09:20 |
栃木 | 宇都宮大学 | 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作 ○渡邉真太朗・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2012-82 |
マイクロ波ドハティ増幅器は，キャリア増幅器(CA)とピーク増幅器(PA)，及び${\lambda}$/4インピーダンス変... [more] | MW2012-82 pp.7-12 |
| CAS, NLP (共催) |
2011-10-21 10:50 |
静岡 | 静岡大学 | ［招待講演］A 55-to-67GHz Power Amplifier with 13.6% PAE in 65nm standard CMOS ○Tong Wang・Toshiya Mitomo・Naoko Ono・Osamu Watanabe（Toshiba） CAS2011-52 NLP2011-79 |
A four-stage power amplifier (PA) covering 55-67GHz band is ... [more] | CAS2011-52 NLP2011-79 pp.113-118 |
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