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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-02-05 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性 ○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一（東北大）  SDM2020-56 |
本研究の目的は，Cu配線を圧迫する厚い二重構造のTaライナーとTaNバリアを，熱的に安定なアモルファス構造で，ライナーと... [more] | SDM2020-56 pp.7-10 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 15:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大） CPM2018-46 |
Ｓi-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、T... [more] | CPM2018-46 pp.25-28 |
| CPM | 2015-11-06 15:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-89 |
我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得... [more] | CPM2015-89 pp.27-30 |
| SDM | 2013-02-04 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用 ○多田宗弘・阪本利司・宮村 信・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光（超低電圧デバイス技研組合） SDM2012-152 |
多層配線のスケーリング則が限界に達しつつある今、多層配線中に機能素子（バックエンドデバイス）を搭載することで、微細化する... [more] | SDM2012-152 pp.9-14 |
| CPM | 2012-10-26 17:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ～ Va遷移金属の拡散挙動 ～ ○武山真弓・野矢 厚（北見工大） CPM2012-103 |
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] | CPM2012-103 pp.55-60 |
| CPM | 2012-08-09 09:25 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2012-44 |
Cu多層配線は微細化に伴い、数nmオーダーの膜厚の拡散バリヤ膜が要請され、かつ優れたバリヤ性を実現する必要がある。我々は... [more] | CPM2012-44 pp.45-49 |
| CPM | 2011-08-10 15:20 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） CPM2011-61 |
我々は、先に検討したZrB2薄膜に固有の電気的・化学的特性が非化学量論組成の薄膜においても保持されるのかどうかを検討する... [more] | CPM2011-61 pp.27-30 |
| SDM | 2011-02-07 12:40 |
東京 | 機械振興会館 | CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・渡邉 桂・加藤 賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝） SDM2010-219 |
CuSiNにはエレクトロマイグレーション(EM)改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題があるが、... [more] | SDM2010-219 pp.19-23 |
| SDM | 2011-02-07 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） SDM2010-221 |
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] | SDM2010-221 pp.31-35 |
| SDM | 2011-02-07 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 ○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック） SDM2010-226 |
ELK（Extremely Low-k, k=2.4）を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は... [more] | SDM2010-226 pp.59-63 |
| SDM | 2010-02-05 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝） SDM2009-187 |
Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、... [more] | SDM2009-187 pp.31-36 |
| SDM | 2010-02-05 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） SDM2009-188 |
プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more] | SDM2009-188 pp.37-41 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 16:10 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル ○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ） R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 |
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊（Time-Dependent Dielectric Breakdow... [more] | R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 pp.39-44 |
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