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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大）  SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 ○佐藤威友・渡久地政周（北大） ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN... [more] | ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| SAT | 2019-10-10 15:20 |
福岡 | JR博多シティ(福岡) {10F 会議室A+B} | 保守性と信頼性を高めた衛星通信基地局用RF送受信装置の開発 ○松井宗大・松下 章・山下史洋（NTT） SAT2019-52 |
衛星通信システムにおいて，通信サービスを継続して提供するためには，保守性と信頼性が求められる．本稿では，高い保守性と信頼... [more] | SAT2019-52 pp.21-26 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） ED2016-111 MW2016-187 |
短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] | ED2016-111 MW2016-187 pp.81-84 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| SANE | 2014-06-20 14:45 |
茨城 | JAXA 筑波宇宙センター | GaNデバイスを用いた衛星搭載用20W級X帯SSPAの開発 ～ システム評価による実現性検討 ～ ○中台光洋・粟野穰太・谷島正信（JAXA）・舟橋政弘・坂田 智（NEC東芝スペースシステム） SANE2014-36 |
宇宙航空研究開発機構（JAXA）では，地球観測衛星と深宇宙探査衛星におけるX帯周波数を利用した通信を想定し，GaNデバイ... [more] | SANE2014-36 pp.75-78 |
| EMCJ, ITE-BCT (共催) |
2009-03-13 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発 ○望月 亮・福島竜也・岩渕浩昭・山田良男・加藤孝男（東芝） EMCJ2008-121 |
Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅... [more] | EMCJ2008-121 pp.43-48 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:55 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements ○Masashi Kato・Keisuke Fukushima・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）・Masakazu Kanechika・Osamu Ishiguro・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-24 14:50 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価 ○福島圭亮・加藤正史・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
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