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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:00
静岡 アクトシティ浜松 その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御
小林憲汰渡邊琉加西川大智竹内哲也岩谷素顕上山 智名城大ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71
実用化された赤外領域のGaAs系面発光レーザー(VCSEL)には、その場反射率スペクトル測定による膜厚制御が活用されてお... [more] ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71
pp.76-79
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:25
静岡 アクトシティ浜松 ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製
渡邊琉加小林憲汰柳川光樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72
面発光レーザー(VCSEL)の作製において、共振波長、すなわち共振器長の高精度制御が必須である。GaAs系面発光レーザー... [more] ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72
pp.80-83
ED 2022-12-09
13:45
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) [招待講演]長辺振動水晶振動子による顕微ナノメカニクス計測法の開発 ~ 原子間結合強度の測定 ~
大島義文チョウ カキ北陸先端大)・新井豊子金沢大)・富取正彦北陸先端大ED2022-65
長辺振動水晶振動子(LER)を取り付けた透過型電子顕微鏡(TEM)試料ホルダーと清浄表面を維持できる超高真空透過型電子顕... [more] ED2022-65
pp.47-50
MWPTHz, EST, MW, EMT, OPE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2022-07-19
13:00
北海道 旭川市民文化会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
腕部への一様磁界ばく露による体内誘導電界の推定
岡田真伯平田晃正名工大EMT2022-13 MW2022-37 OPE2022-16 EST2022-14 MWPTHz2022-11
10 MHz以下の周波数での電磁界ばく露による生体影響は,刺激効果が支配的である.電磁界の生体影響を防護するための国際ガ... [more] EMT2022-13 MW2022-37 OPE2022-16 EST2022-14 MWPTHz2022-11
pp.28-33
OME, SDM
(共催)
2022-04-22
14:10
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化
Rostislav Velichko高知工科大)・曲 勇作島根大)・○古田 守高知工科大SDM2022-4 OME2022-4
代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)であるIn–Ga–Zn–O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを... [more] SDM2022-4 OME2022-4
pp.17-20
EMT, MW, OPE, EST, MWP
(共催)
THz, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2020-07-16
13:50
ONLINE オンライン開催 中間周波数帯接触電流による体内誘導量の数値解析
村川太希ディアオ インリィアンラシド イサム田中由浩名工大)・北村 新上原信太郎大高洋平藤田医科大)・平田晃正名工大EMT2020-11 MW2020-20 OPE2020-6 EST2020-11 MWP2020-11
電磁界ばく露により異なる電位ポテンシャルを持つ金属に人体が接触するとき,接触電流が生じ,体内に誘導された電界により生体影... [more] EMT2020-11 MW2020-20 OPE2020-6 EST2020-11 MWP2020-11
pp.27-32
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2019-12-06
10:45
愛媛 愛媛大学 スパッタ成膜中の強磁性薄膜成長過程の内部応力観測
中川茂樹林原久憲中込将成小川良正高村陽太東工大MRIS2019-45
薄い基板上に膜を堆積させながら基板の反り量を光学変位センサで観測するカンチレバー法により,基板たわみ量を膜内部応力σと膜... [more] MRIS2019-45
pp.51-56
EMCJ 2019-04-12
09:30
沖縄 沖縄産業支援センター 油品質評価のためのマイクロ波散乱スペクトラム分析手法
高橋 徹駒木根隆士佐藤可奈菅原英子秋田高専)・黒澤孝裕秋田県産技センター)・亀田幸則吉田尚弘KYBEMCJ2019-9
安心・安全な現代の社会の実現のためには機械システムの性能や機能を維持する油は重要であり,その品質管理は極めて重要である.... [more] EMCJ2019-9
pp.45-50
EMCJ 2019-01-18
13:15
大阪 大阪大学 低周波および中間周波帯における外部磁界強度と体内誘導電界の関係
阿河克明平田晃正名工大EMCJ2018-103
電磁界からの人間防護のための国際規格であるIEEE C95.1(無線周波数),C95.6(低周波),およびICNIRP(... [more] EMCJ2018-103
pp.19-24
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-01-25
16:30
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 詳細人体モデルを用いた一様磁界ばく露におけるIEEE規格の再検討
阿河克明中西優大平田晃正名工大PN2017-66 EMT2017-103 OPE2017-144 LQE2017-126 EST2017-102 MWP2017-79
我々は日常的に電気機器や送電線から発生する電磁界にさらされており,環境電磁界の影響を防護するために,ICNIRPやIEE... [more] PN2017-66 EMT2017-103 OPE2017-144 LQE2017-126 EST2017-102 MWP2017-79
pp.155-160
OME 2017-12-01
09:40
佐賀 サンメッセ鳥栖 CMPプロセスにおける高圧マイクロジェット(HPMJ)のハイブリッド効果
塚本敬一土肥俊郎九大)・王 成武浙江師範大)・瀬下 清九大)・宮地計二加藤幹大旭サナック)・宮下忠一不二越機械工業)・大坪正徳松永洋子九大OME2017-36
半導体ウエハのCMPプロセスにおいて,パッドの目詰まりは避けられない.従来からダイヤモンド電着コンディショナによって,目... [more] OME2017-36
pp.7-12
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
SDM 2016-01-22
11:35
東京 東京大学 山上会館 BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ
川上達也近藤英一渡邉満洋山梨大)・濱田聡美嶋 昇平檜山浩國荏原製作所SDM2015-111
Cu CMP中に,Cu表面は酸化剤又は錯化剤によって酸化されている.酸化の抑制のため,腐食防止剤がスラリー中に共添加され... [more] SDM2015-111
pp.13-15
SDM 2015-10-30
15:00
宮城 東北大学未来研 Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyo TechSDM2015-82
 [more] SDM2015-82
pp.57-62
EMCJ, WPT
(併催)
2015-01-22
16:40
沖縄 沖縄県市町村自治会館 6MHz帯無線電力伝送に対する適合性評価法の一検討
春原 哲平田晃正名工大)・大西輝夫NTTドコモEMCJ2014-91
近年,無線電力伝送の実用化に向けた動向に注目が集まる一方で,システムから漏洩する電磁界の適合性評価に関心が寄せられている... [more] EMCJ2014-91
pp.35-38
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
16:40
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘山本 剛松尾慎治NTTOPE2014-150 LQE2014-137
メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] OPE2014-150 LQE2014-137
pp.59-64
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
11:40
北海道 北海道大学百年記念会館 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察
大野裕輝廣井孝弘工藤昌輝浜田弘一有田正志高橋庸夫北大ED2013-148 SDM2013-163
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] ED2013-148 SDM2013-163
pp.89-94
US 2013-11-12
12:00
石川 金沢工業大学 超音波を用いた原位置透水試験法の検討
黒原雄大平岡伸隆中野峻也田中克彦藤本将光深川良一立命館大US2013-67
斜面崩壊の予測や発生メカニズムの解明に,地盤の透水係数は重要な指標である.透水係数を求める方法として,実地盤で行う原位置... [more] US2013-67
pp.73-78
EMCJ, MW, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2013-10-24
11:20
宮城 東北大 青葉山キャンパス 電波吸収体の複素電磁パラメータのin-situ測定に関する一検討
小田純矢陳 春平鎌田克洋加藤丈政穴田哲夫神奈川大EMCJ2013-65 MW2013-105 EST2013-57
フランジ付き開放端同軸プローブに基づいた測定手法は,電波吸収体の材料常数の非破壊測定方法の1つとして注目を浴びている.2... [more] EMCJ2013-65 MW2013-105 EST2013-57
pp.31-34
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
14:55
東京 中央大学 FeCoB膜の異方性内部応力形成観測と高磁気異方性の関係
林原久憲饒平名礼生中川茂樹東工大MR2013-9
i/Ru/FeCoB膜において形成される異方的な内部応力と磁気異方性との関係について評価した。ターゲット~基板間距離やス... [more] MR2013-9
pp.19-24
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