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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎（熊本高専）  SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非... [more] | SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-23 10:20 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 ○森本敦己・阿部陸斗・平井杏奈・平井杜和・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2022-10 OME2022-10 |
近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手... [more] | SDM2022-10 OME2022-10 pp.47-50 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 11:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ ○内海大樹（東北学院大）・北原邦紀・塚田真也（島根大）・鈴木仁志・原 明人（東北学院大） EID2018-4 SDM2018-77 |
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] | EID2018-4 SDM2018-77 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:30 |
京都 | 京都大学 | Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ ○西口尚希・内海弘樹・原 明人（東北学院大） EID2017-24 SDM2017-85 |
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] | EID2017-24 SDM2017-85 pp.67-70 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 ○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2016-8 OME2016-8 |
シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] | SDM2016-8 OME2016-8 pp.31-34 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 11:15 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT 仁部翔太・○大澤弘樹・原 明人（東北学院大） SDM2016-15 OME2016-15 |
低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長（Ni-SPC）に注目し、 更にデバイス高性能... [more] | SDM2016-15 OME2016-15 pp.61-65 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響 ○茂藤健太・崎山 晋・酒井崇嗣・中嶋一敬・岡本隼人・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2014-5 OME2014-5 |
電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した．その結果，2MeVの高エネル... [more] | SDM2014-5 OME2014-5 pp.21-25 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 15:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長 ○都甲 薫・末益 崇（筑波大） SDM2014-6 OME2014-6 |
ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長G... [more] | SDM2014-6 OME2014-6 pp.27-29 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ～ 界面酸化膜厚依存性 ～ ○鈴木恒晴・パク ジョンヒョク・黒澤昌志・宮尾正信・佐道泰造（九大） SDM2012-16 OME2012-16 |
フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には，高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上... [more] | SDM2012-16 OME2012-16 pp.71-73 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 ○坂根 尭・都甲 薫・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-12 OME2010-12 |
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(～1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、... [more] | SDM2010-12 OME2010-12 pp.53-57 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 17:05 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正（九大） SDM2009-7 OME2009-7 |
プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とそ... [more] | SDM2009-7 OME2009-7 pp.29-34 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 11:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 ～ 電界印加効果、触媒種効果 ～ ○萩原貴嗣・都甲 薫・佐道泰造（九大） SDM2008-20 OME2008-20 |
次世代TFTのチャネル材料として期待される多結晶Ge/絶縁膜の極低温形成(≦250℃)を目指し金属触媒誘起固相成長法を検... [more] | SDM2008-20 OME2008-20 pp.101-106 |
| SDM | 2007-12-14 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 ○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） SDM2007-222 |
我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的と... [more] | SDM2007-222 pp.1-4 |
| OME, SDM, ED (共催) |
2007-04-20 13:25 |
福岡 | 九州大学西新プラザ | 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用 ○石田雄二・中川 豪・浅野種正（九大） ED2007-2 SDM2007-2 OME2007-2 |
ニードル先端から液滴を吐出する方式の静電型インクジェットの液滴吐出挙動を調査した. ニードル先端の曲率半径を小さくすると... [more] | ED2007-2 SDM2007-2 OME2007-2 pp.5-10 |
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