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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大）  SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-25 09:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望 ○八木英樹（光電子融合基盤技研）・西山伸彦（東工大）・藤原直樹・柳沢昌輝（光電子融合基盤技研） R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 |
Beyond 5 G・6 Gといったワイヤレス通信技術の進展に伴い, 通信量が増大し, 2030年代には一つのトランシー... [more] | R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 pp.59-62 |
| SDM | 2021-06-22 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 ○森 貴洋（産総研） SDM2021-25 |
従来型コンピュータでは有限時間内に解を得られない大規模かつ高度に複雑な演算を実現するものとして、昨今量子コンピュータが高... [more] | SDM2021-25 p.16 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2019-11-11 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ECOC2019報告 ～ 通信用光デバイス・モジュール関連 ～ ○藤井拓郎（NTT） OCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72 |
2019年9月23日から26日までアイルランド・ダブリンにて開催されたECOC2019における、通信用光デバイス・モジュ... [more] | OCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72 pp.23-26 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 15:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［招待講演］シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター ○小野行徳（静岡大） ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 |
エレクトロン・ナノ・アスピレーターは、T字型分岐を有するシリコン・ナノデバイスであり、電子の流体的性質を利用することによ... [more] | ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 pp.25-28 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2018-10-18 11:25 |
佐賀 | 佐賀県教育会館 第1会議室 | SOA搭載光スイッチにおける8×32-Gbaud 16-QAM WDM信号伝送 ○鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・井上 崇（産総研）・松本 武・倉橋輝雄・植竹理人・高林和雅・秋山 傑・関口茂昭（富士通研）・並木 周・河島 整・池田和浩（産総研） OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57 |
4チャネルInP-SOAをフリップチップ実装により搭載した4×4シリコンフォトニクススイッチを用いて、8 ch., 32... [more] | OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57 pp.25-28 |
| LQE | 2018-07-12 14:20 |
北海道 | 北海道大学 | シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 ○松本 武・倉橋輝雄（富士通研）・鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・谷澤 健（産総研）・植竹理人・高林和雅（富士通研）・池田和浩・河島 整（産総研）・秋山 傑・関口茂昭（富士通研） LQE2018-23 |
光パスネットワーク実現のキーデバイスである大規模Si光スイッチのオンチップ光損失を補償するため、光半導体増幅器 (SOA... [more] | LQE2018-23 pp.13-16 |
| OPE | 2017-12-07 10:50 |
沖縄 | まりんぴあみやこ | Si変調器用装荷導波路型縦型PN接合位相シフタの作製 ○前神有里子・叢 光偉・大野守史・岡野 誠（産総研）・伊東憲人・西山伸彦・荒井滋久（東工大）・山田浩治（産総研） OPE2017-92 |
我々はSi光変調器に用いる縦型PN接合構造を有した装荷導波路型位相シフタを，CMOS互換プロセスにより作製した．この装荷... [more] | OPE2017-92 pp.13-18 |
| OPE | 2017-12-07 15:00 |
沖縄 | まりんぴあみやこ | ［記念講演］本格的光集積回路の実現を目指して ○山田博仁（東北大） OPE2017-111 |
本格的な光集積回路の実現を目指して、化合物半導体基板のドライエッチング加工技術から、面発光素子、そしてSi細線光導波路と... [more] | OPE2017-111 pp.111-114 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2017-10-26 10:35 |
熊本 | 桜の馬場城彩苑（熊本） | III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討 ○鈴木純一・永坂久美・モータズ エイッサ・立花文人・白 柳・御手洗拓矢・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OCS2017-38 OPE2017-70 LQE2017-43 |
多機能を有するIII-V/SOIハイブリッド光回路の実現に向け、導波路幅変調によって飽和特性の調節が可能なIII-V/S... [more] | OCS2017-38 OPE2017-70 LQE2017-43 pp.13-18 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 16:05 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ［招待講演］シリコン量子コンピュータに向けた基盤技術開発 ○小寺哲夫（東工大） SDM2017-36 ICD2017-24 |
半導体は集積化技術が成熟しており、量子コンピュータへの活用が期待されている。なかでも、コヒーレンスやエレクトロニクス技術... [more] | SDM2017-36 ICD2017-24 pp.39-44 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 09:20 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・長谷部浩一・西 英隆・山本 剛・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] | R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 pp.1-4 |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ ○植竹理人・高林和雅・木村徳治・山本剛之（富士通研）・山口正臣・高田 幹・武政敬三・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） OPE2015-17 LQE2015-27 |
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] | OPE2015-17 LQE2015-27 pp.35-38 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 10:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ ○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-9 OME2015-9 |
光通信帯域（波長: 1.5 $mu$m）に合致する光学材料として，我々はシリコンスズ（SiSn）半導体に着目している．格... [more] | SDM2015-9 OME2015-9 pp.35-37 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2015-01-23 15:45 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 ○田原貴之（京大）・佐々木智生（TDK）・安藤裕一郎（京大）・亀野 誠（阪大）・小池勇人・及川 亨（TDK）・鈴木淑男（AIT）・白石誠司（京大） MR2014-43 |
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] | MR2014-43 pp.19-24 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| MW | 2014-06-26 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大 | ［特別講演］ミリ波領域の半導体技術における課題と挑戦 ○渡邊 祐（デンソー） MW2014-51 |
ミリ波帯は高速通信の要求から周波数資源として着目されてきたが、本来ミリ波の持つ特性を生かしたレーダやイメージングの市場が... [more] | MW2014-51 pp.51-54 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 17:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | 表面プラズモン検出器-MOSFET集積回路における静的および動的特性 ○相原卓磨・武田愛弓・福原誠史・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大） PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 |
情報処理システムの更なる高速・大容量化の実現に向けて、集積回路内における光インターコネクトに関する研究が活発に行われてい... [more] | PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 pp.303-306 |
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