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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OFT 2023-10-12
15:00
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]Characterization of strain and temperature sensing properties of Brillouin scattering in ZBLAN fiber
Guangtao ZhuYNU)・Kenji GoyaAPU)・Kohei NodaUTokyo)・Heeyoung LeeSIT)・Yosuke MizunoYNUOFT2023-39
 [more] OFT2023-39
pp.93-96
IN, NS
(併催)
2023-03-02
13:10
沖縄 沖縄コンベンションセンター + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
データセンタ向けの自律移動型温度分布可視化ロボットの検討
本澤聡一郎干川尚人小山高専)・日里友幸ケーブルテレビ)・白木厚司下馬場朋禄伊藤智義千葉大NS2022-188
クラウドサービスに大きく依存する現代社会において,その設備拠点であるデータセンタの需要は年々増加傾向にある.一方で,近年... [more] NS2022-188
pp.123-128
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
09:55
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
有機共振器ポラリトンの室温Bose-Einstein凝縮による広帯域・低閾値ポラリトンレーザー
山本真毅東大)・森山彰治石田真敏古田弘幸九大)・深津 晋東大SDM2022-9 OME2022-9
量子井戸や有機分子をミラーで挟んだ微小共振器中では,閉じ込められたphotonと半導体中のexcitonが強く相互作用し... [more] SDM2022-9 OME2022-9
pp.43-46
MW 2021-03-05
10:55
ONLINE オンライン開催 円筒空洞共振器法を用いた薄型誘電体フィルムの高能率温度依存性評価に関する検討
木村泰希古神義則清水隆志宇都宮大MW2020-92
円筒空洞共振器法を用いた厚さ100μm以下のフィルム試料の高精度の温度依存性測定には、測定温度の安定に充分な時間をかける... [more] MW2020-92
pp.7-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:25
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性
山口拓海有賀恭介森 恵人山口敦史金沢工大ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温におけ... [more] ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
pp.5-8
EMT, IEE-EMT
(連催)
2020-11-05
13:25
ONLINE オンライン開催 温湿度依存性測定のためのスプリットシリンダーを用いた複素誘電率の推定
萩生田恭雅平山浩一北見工大)・柳本吉之EMラボ)・杉坂純一郎安井 崇北見工大EMT2020-30
試料の複素誘電率の温湿度依存性を測定することを目的として,スプリットシリンダーを用いた測定法について検討している.具体的... [more] EMT2020-30
pp.17-20
MW 2020-03-05
13:10
高知 高知市立中央公民館
(開催中止,技報発行あり)
円筒空洞共振器法を用いたフィルム試料の50GHz帯温度依存性評価システムの開発
髙萩耕平古神義則清水隆志宇都宮大MW2019-144
ミリ波回路では、回路の小型・薄型化の需要増加に伴い、薄型フィルムの周波数・温度依存性評価法が求められている。薄型フィルム... [more] MW2019-144
pp.23-28
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
DC
(併催) [詳細]
2017-07-26
16:15
秋田 秋田アトリオンビル(秋田) デジタル温度電圧センサにおける温度2点補正手法の検討
三宅庸資佐藤康夫梶原誠司九工大DC2017-19
VLSI稼働時のチップの温度と電圧を測定するため,リングオシレータ(RO: Ring Oscillator)を利用したデ... [more] DC2017-19
pp.19-24
MW 2016-11-17
14:30
佐賀 佐賀大学 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大MW2016-122
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する.提案モデルではバッファ... [more] MW2016-122
pp.33-38
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定
中納 隆河上航平山口敦史金沢工大ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110
pp.53-58
OPE, LQE, OCS
(共催)
2015-10-30
11:15
大分 別府国際コンベンションセンター InP(001)微傾斜基板上における多重積層InAs量子ドットレーザの諸特性
赤羽浩一梅沢俊匡松本 敦山本直克NICTOCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92
これまでに我々はInP(001)微傾斜基板上において歪補償法を用いた自己組織化InAs量子ドットの多重積層構造の形成を行... [more] OCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92
pp.159-162
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布
中村友紀石塚侑己山口直也玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
pp.43-48
MW 2012-11-22
11:15
沖縄 石垣島 遮断円筒導波管法用80GHz共振器を用いた誘電体平板の複素誘電率の温度依存性測定
小又大祐清水隆志古神義則宇都宮大MW2012-122
筆者らは、低損失誘電体平板のミリ波高精度評価法として遮断円筒導波管法を提案してきた。これを用いてミリ波帯で複素誘電率の温... [more] MW2012-122
pp.51-56
US 2012-09-24
15:10
秋田 秋田大学 手形キャンパス 超音波マイクロスペクトロスコピー技術による石英ガラスの評価法 ~ 音響特性の仮想温度依存性におけるOHとClの影響 ~
荒川元孝大橋雄二丸山由子櫛引淳一東北大)・堀越秀春森山賢二東ソー・エスジーエムUS2012-62
本報では、超音波マイクロスペクトロスコピー技術による石英ガラスの評価方法について検討を行った。OH濃度およびCl濃度が異... [more] US2012-62
pp.27-32
US 2010-09-29
14:50
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 超音波マイクロスペクトロスコピー技術による合成石英ガラスの仮想温度評価に関する検討
櫛引淳一・○荒川元孝大橋雄二丸山由子近藤貴則吉田哲男東北大US2010-52
超音波マイクロスペクトロスコピー技術による合成石英(SiO2)ガラスの仮想温度TFの評価法を開発した。OH濃度が異なる2... [more] US2010-52
pp.23-28
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-21
13:00
宮城 東北大学 偏波保持ファイバを用いたひずみ・温度同時計測センサ
大道浩児寺田佳弘フジクラ)・和田大地村山英晶東大)・井川寛隆JAXAEMD2009-49 CPM2009-73 OPE2009-97 LQE2009-56
ひずみと温度を同時に計測可能な光ファイバセンサとして,偏波保持ファイバの一種であるPANDAファイバに作製したファイバブ... [more] EMD2009-49 CPM2009-73 OPE2009-97 LQE2009-56
pp.117-122
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:55
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements
Masashi KatoKeisuke FukushimaMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
14:50
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価
福島圭亮加藤正史市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
MW 2007-05-21
15:25
兵庫 兵庫県立大学 TM0m0モード円筒空洞共振器を用いた誘電体丸棒の複素誘電率の温度依存性測定
中井 宏小林禧夫埼玉大)・鈴木文生フジクラ)・馬 哲旺埼玉大MW2007-16
TM0m0モード円筒空洞共振器の中心軸上に誘電体試料を挿入し、誘電体丸棒試料の複素誘電率(比誘電率と誘電正接)を測定する... [more] MW2007-16
pp.23-27
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
14:00
愛知 豊橋技術科学大学VBL 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出
市村正也名工大
光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。こ... [more] ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38
pp.101-106
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