Print edition: ISSN 0913-5685
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SDM2006-155 SDM2006-160
動的再構成メモリを用いた遺伝的アルゴリズム専用プロセッサ
○塚原彰彦・金杉昭徳（東京電機大）
pp. 1 - 6
SDM2006-156 SDM2006-161
離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討
○芦澤芳夫・岡 秀樹（富士通研）
pp. 7 - 12
SDM2006-157 SDM2006-162
ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について
○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ）
pp. 13 - 18
SDM2006-158 SDM2006-163
ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング
○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ）
pp. 19 - 24
SDM2006-159 SDM2006-164
3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善
○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝）
pp. 25 - 29
SDM2006-165
High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制
○吉岡由雅・大村泰久（関西大）
pp. 31 - 36
SDM2006-166
32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 ～ 究極のプレーナー型MOSFET ～
○井本 努・舘下八州志・小林敏夫（ソニー）
pp. 37 - 42
SDM2006-167
極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化
○山村 毅・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）
pp. 43 - 48
SDM2006-168
ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性
○土屋英昭・藤井一也・森 隆志・三好旦六（神戸大）
pp. 49 - 54
SDM2006-169
歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算
○三成英樹・森 伸也（阪大）
pp. 55 - 58
SDM2006-170
Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method
○Helmy Fitriawan・Satofumi Souma・Matsuto Ogawa・Tanroku Miyoshi（Kobe Univ.）
pp. 59 - 63
SDM2006-171
反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
○羽根正巳（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・江崎達也（広島大）・山本豊二（MIRAI-ASET）
pp. 65 - 69
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．