Print edition: ISSN 0913-5685
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ED2006-152
X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発
○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）
pp. 1 - 5
ED2006-153
AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化
○中田 健・川崎 健・松田慶太・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス）
pp. 7 - 12
ED2006-154
Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
○大来英之・見田充郎・佐野芳明・丸井俊治・伊藤正紀・星 真一・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大）
pp. 13 - 18
ED2006-155
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究
○岩崎天彦・石川博康・江川孝志（名工大）
pp. 19 - 22
ED2006-156
擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード
○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅（松下電器）
pp. 23 - 27
ED2006-157
窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
○木村 健・小谷淳二・加藤寛樹・田島正文・小川恵理・水江千帆子・橋詰 保（北大）
pp. 29 - 34
ED2006-158
XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）
pp. 35 - 38
ED2006-159
マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
○小坂賢一・藤嶌辰也（立命館大）・井上 薫（素子協）・檜木啓宏（立命館大）・山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・神谷慎一（素子協）・鈴木 彰（立命館大/素子協）・荒木 努・名西ヤスシ（立命館大）
pp. 39 - 43
ED2006-160
ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
○淀 徳男・白石雄起・平田清隆・富田博之・西江紀明・堀部裕明・岩田圭吾・原田義之（阪工大）
pp. 45 - 49
ED2006-161
470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
○小島一信・船戸 充・川上養一（京大）・ウルリヒ T シュワルツ・ハラルド ブラウン（レーゲンスブルグ大）・長濱慎一・向井孝志（日亜化学）
pp. 51 - 55
ED2006-162
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
○上田雅也・小島一信・船戸 充・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）
pp. 57 - 61
ED2006-163
Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST）
pp. 63 - 67
ED2006-164
Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy
○Masaaki Nakayama・Hiroyasu Tanaka（Osaka City Univ.）・Masanobu Ando・Toshiya Uemura（Toyoda Gosei）
pp. 69 - 73
ED2006-165
InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴
○蟹江 壽・瀬間勇二（東京理科大）
pp. 75 - 78
ED2006-166
電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価
○財満康太郎（東芝）・成田哲生（名大）・斎藤真司・橘 浩一・名古 肇・波多腰玄一・布上真也（東芝）
pp. 79 - 82
ED2006-167
有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUV LEDの製作
○小林俊章・小宮山重利・増山佳宏・本田 徹（工学院大）
pp. 83 - 86
ED2006-168
様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価
○渡邉浩崇・飯田一喜・竹田健一郎・永松謙太郎・住井隆文・永井哲也・クリシュナン バラクリシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・坂東 章（昭和電工）
pp. 87 - 92
ED2006-169
CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
○新井雅俊・杉本浩一・江川慎一・馬場太一・澤田 勝・本田 徹（工学院大）
pp. 93 - 96
ED2006-170
ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長
○清水 順・瀧澤俊幸・上田哲三（松下電器）
pp. 97 - 101
ED2006-171
GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード
○田沼伸久・久保田 稔・鷹野致和（明星大）
pp. 103 - 106
ED2006-172
n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響
○甘利浩一・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 107 - 112
ED2006-173
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
山口哲生・石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・林部林平・山上朋彦・阿部克也・○上村喜一（信州大）
pp. 113 - 116
ED2006-174
ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御
○山口泰平・直井弘之・荒木 努・名西やすし（立命館大）
pp. 117 - 120
ED2006-175
ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果
○淀 徳男・嶋田照也・田川澄人・西本 亮・日高志郎・石井圭太・瀬川紘史・平川順一・原田義之（阪工大）
pp. 121 - 125
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．