Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2009-182
［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望
○小柳光正・福島誉史・李 康旭・田中 徹（東北大）
pp. 1 - 6
SDM2009-183
耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス）
pp. 7 - 11
SDM2009-184
EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討
○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 13 - 18
SDM2009-185
Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発
○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木 繁・筒江 誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡 好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武 浩（ルネサステクノロジ）・松本 晋・上田哲也（パナソニック）
pp. 19 - 23
SDM2009-186
CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝）
pp. 25 - 29
SDM2009-187
低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝）
pp. 31 - 36
SDM2009-188
Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性
○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ）
pp. 37 - 41
SDM2009-189
次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
○山道新太郎・森 健太郎・菊池 克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC）
pp. 43 - 48
SDM2009-190
低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研）
pp. 49 - 52
SDM2009-191
多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価
○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝）
pp. 53 - 58
SDM2009-192
Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価
○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ）
pp. 59 - 63
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．