Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2009-196
Si中のP原子核スピン配列に基づくニューロ様断熱的量子計算について
○金城光永（琉球大）・佐藤茂雄（東北大）
pp. 1 - 3
ED2009-197
高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数
○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大）
pp. 5 - 9
ED2009-198
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子
○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三（阪大）・葛西誠也（北大）・井上恒一・松本和彦（阪大）
pp. 11 - 15
ED2009-199
量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析
○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大）
pp. 17 - 21
ED2009-200
選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製
○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大）
pp. 23 - 28
ED2009-201
SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
○岡田竜弥（琉球大）・東 清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大）
pp. 29 - 33
ED2009-202
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
○上野俊介・友田悠介・久米 彌・花田道庸・滝谷和聡・白樫淳一（東京農工大）
pp. 35 - 39
ED2009-203
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製
○滝谷和聡・友田悠介・渡邉敬登・久米 彌・上野俊介・白樫淳一（東京農工大）
pp. 41 - 45
ED2009-204
強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測
○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大）
pp. 47 - 52
ED2009-205
［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御
○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本 茂・水谷 孝（名大）
pp. 53 - 58
ED2009-206
SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発
○岸本貴臣・大野恭秀・前橋兼三・井上恒一・松本和彦（阪大）
pp. 59 - 63
ED2009-207
ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作
○柴田 啓・中田大輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST）
pp. 65 - 70
ED2009-208
GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討
○白鳥悠太・三浦健輔（北大）・葛西誠也（北大/JST）
pp. 71 - 76
ED2009-209
Detectors of Terahertz and Infrared Radiation Based on p-i-n Single- and Multiple Graphene Layer Structures
○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（Univ. of Aizu）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）・Vladimir Mitin（Buffalo Univ.）
pp. 77 - 80
ED2009-210
CNT分散紙の電気的特性
○田中 朋・佐野栄一（北大）・秋山宏介・今井将徳（特種製紙）
pp. 81 - 85
ED2009-211
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発
○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦（阪大）
pp. 87 - 91
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．