電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 113, Number 172

シリコン材料・デバイス

開催日 2013-08-01 - 2013-08-02 / 発行日 2013-07-25

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目次

SDM2013-65
SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析
○森 貴之・井田次郎(金沢工大)
pp. 1 - 6

SDM2013-66
合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之(産総研)
pp. 7 - 12

SDM2013-67
マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針
○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明(東芝)
pp. 13 - 18

SDM2013-68
[招待講演]これからの集積回路技術:部品からの脱却
○益 一哉(東工大)
pp. 19 - 22

SDM2013-69
[招待講演]三次元積層技術の世界動向と日本のこれからの取組み
○池田博明(ASET)
pp. 23 - 28

SDM2013-70
[招待講演]Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects
○Takayuki Ohba(Tokyo Inst. of Tech.)
pp. 29 - 30

SDM2013-71
[招待講演]貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断
○永田 真・高谷 聡(神戸大)・池田博明(ASET)
pp. 31 - 34

SDM2013-72
[招待講演]方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ
○小菅敦丈・水原 渉・四手井綱章・竹谷 勉・三浦典之・田口眞男・石黒仁揮・黒田忠広(慶大)
pp. 35 - 40

SDM2013-73
[パネル討論]3D Integration:何を、いつから期待する?
○益 一哉(東工大)・池田博明(ASET)・永田 真(神戸大)・高橋健司(東芝)・大場隆之(東工大)・鈴木大介(Pezy Computing)
p. 41

SDM2013-74
SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
○Anil Kumar・更屋拓哉(東大)・宮野信治(半導体理工学研究センター)・平本俊郎(東大)
pp. 43 - 46

SDM2013-75
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
○水谷朋子(東大)・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之(超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎(東大)
pp. 47 - 52

SDM2013-76
低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・塚本康正・石井雄一郎(ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉(日大)・松田吉雄(金沢大)
pp. 53 - 57

SDM2013-77
0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
○梅本由紀子・新居浩二・石川次郎・薮内 誠・塚本康正・田中信二・田中浩司・森 和孝・柳沢一正(ルネサス エレクトロニクス)
pp. 59 - 64

SDM2013-78
28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術
○福岡一樹・森 涼・加藤 章・五十嵐満彦・澁谷宏治・山木貴志・新居浩二・森田貞幸・小池貴夫(ルネサス エレクトロニクス)・阪本憲成(ルネサス モバイル)
pp. 65 - 69

SDM2013-79
[招待講演]時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路
○宮下大輔・山城 遼(東芝)・橋吉和典(東芝マイクロエレクトロニクス)・小林弘幸・香西昌平・大脇幸人・畝川康夫(東芝)
pp. 71 - 76

SDM2013-80
広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC
○富山陽介・志方 明・吉岡健太郎・関本竜太・黒田忠広・石黒仁揮(慶大)
pp. 77 - 82

SDM2013-81
Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC
○齋藤 涼・関本竜太・志方 明(慶大)
pp. 83 - 87

SDM2013-82
MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上
○蓬田拓夢・範 公可(電通大)
pp. 89 - 94

SDM2013-83
[招待講演]ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ
○菅 竜二・田中智浩・杉崎 剛・西山龍一・酒林聰太(富士通)・小柳洋一(富士通研)・岩月竜二・早坂和美(富士通)・上村大樹(富士通セミコンダクター)・伊藤 学・小関由知・安達裕幸・古谷和弘・本車田 強(富士通)
pp. 95 - 98

SDM2013-84
[招待講演]LTE対応コミュニケーションプロセッサR-MobileU2における電力制御技術 ~ Power saverによるクロック制御手法 ~
藤ヶ谷誠希・阪本憲成・小池貴夫・入田隆宏・若原康平・松山嗣生・長谷川敬司・齋藤俊治・福田 章・寺西 要(ルネサス モバイル)・福岡一樹・前田徳章・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)・○片岡 健・服部俊洋(ルネサス モバイル)
pp. 99 - 103

SDM2013-85
バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化
○大澤 衛・範 公可(電通大)
pp. 105 - 110

SDM2013-86
アフィン動きモデル推定プロセッサの顔器官追跡への応用
○森田峻介・深山正幸・松田吉雄(金沢大)
pp. 111 - 116

SDM2013-87
太陽電池駆動5mm角ワイヤレスセンサノードを実現するフィードバック型ソースフォロワを採用した間欠送信回路
○松永賢一・大嶋尚一・森村浩季・原田 充(NTT)
pp. 117 - 122

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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