Online edition: ISSN 2432-6380
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CPM2024-64
励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価
○石井良太・隅田長門(京大)・人見達矢・山本玲緒・永島 徹(トクヤマ)・船戸 充・川上養一(京大)
pp. 1 - 4
CPM2024-65
量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス
○地崎匡哉・石谷善博(千葉大)
pp. 5 - 8
CPM2024-66
InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合
○大音隆男・小菅駿也(山形大)・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦(上智大)
pp. 9 - 12
CPM2024-67
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人(名工大)
pp. 13 - 16
CPM2024-68
金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強
○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司(阪公立大)・船戸 充・川上養一(京大)
pp. 17 - 20
CPM2024-69
井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究
○新保 樹・土佐宏樹・神野翔綺・森 恵人・山口敦史(金沢工大)・岩満一功・冨谷茂隆(奈良先端大)
pp. 21 - 24
CPM2024-70
In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究
○山形梨里花・新保 樹・森 恵人・山口敦史(金沢工大)・岩満一功・冨谷茂隆(奈良先端大)
pp. 25 - 28
CPM2024-71
時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定
○伊藤央祐・山口敦史(金沢工大)・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
pp. 29 - 32
CPM2024-72
二次元層状材料のヘテロ接合形成による高エネルギー効率光触媒の実現
○森 耀平・バスカー マラティ・中村篤志(静岡大)
pp. 33 - 36
CPM2024-73
水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性
○安部功二(名工大)
pp. 37 - 40
CPM2024-74
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ~ デバイス作製と電流-電圧特性 ~
○寺迫智昭(愛媛大)・矢木正和(香川高専)・パラニ ラジャセカラン・山本哲也(高知工科大)
pp. 41 - 44
CPM2024-75
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ~ パルス動作特性 ~
○寺迫智昭(愛媛大)・矢木正和(香川高専)・パラニ ラジャセカラン・山本哲也(高知工科大)
pp. 45 - 48
CPM2024-76
GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案
○齋藤 渉・西澤伸一(九大)
pp. 49 - 52
CPM2024-77
電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価
○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志(名工大)
pp. 53 - 56
CPM2024-78
緩衝層として歪超格子層およびAlGaN遷移層を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTの電気特性評価
○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志(名工大)
pp. 57 - 60
CPM2024-79
界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析
○今林弘毅・吉村遥翔(福井大)・太田 博・三島友義(法政大)・塩島謙次(福井大)
pp. 61 - 64
CPM2024-80
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人(名工大)
pp. 65 - 68
CPM2024-81
ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術
○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアン ハディラ(熊本大)・越智亮太(北大)・中村有水(熊本大)・佐藤威友(北大)
pp. 69 - 72
CPM2024-82
水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上
○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀(富士通)
pp. 73 - 78
注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.