Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2024-51
励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価
○石井良太・隅田長門（京大）・人見達矢・山本玲緒・永島 徹（トクヤマ）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 1 - 4
LQE2024-52
量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス
○地崎匡哉・石谷善博（千葉大）
pp. 5 - 8
LQE2024-53
InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合
○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大）
pp. 9 - 12
LQE2024-54
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 13 - 16
LQE2024-55
金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強
○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司（阪公立大）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 17 - 20
LQE2024-56
井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究
○新保 樹・土佐宏樹・神野翔綺・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
pp. 21 - 24
LQE2024-57
In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究
○山形梨里花・新保 樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
pp. 25 - 28
LQE2024-58
時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定
○伊藤央祐・山口敦史（金沢工大）・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 29 - 32
LQE2024-59
二次元層状材料のヘテロ接合形成による高エネルギー効率光触媒の実現
○森 耀平・バスカー マラティ・中村篤志（静岡大）
pp. 33 - 36
LQE2024-60
水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性
○安部功二（名工大）
pp. 37 - 40
LQE2024-61
PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ デバイス作製と電流-電圧特性 ～
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
pp. 41 - 44
LQE2024-62
PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ パルス動作特性 ～
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
pp. 45 - 48
LQE2024-63
GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案
○齋藤 渉・西澤伸一（九大）
pp. 49 - 52
LQE2024-64
電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価
○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大）
pp. 53 - 56
LQE2024-65
緩衝層として歪超格子層およびAlGaN遷移層を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTの電気特性評価
○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 57 - 60
LQE2024-66
界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析
○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
pp. 61 - 64
LQE2024-67
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 65 - 68
LQE2024-68
ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術
○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアン ハディラ（熊本大）・越智亮太（北大）・中村有水（熊本大）・佐藤威友（北大）
pp. 69 - 72
LQE2024-69
水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上
○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）
pp. 73 - 78
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．