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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2013年度)
「from:2013-12-13 to:2013-12-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-12-13 09:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2013-116 |
近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャ... [more] | SDM2013-116 pp.1-5 |
| SDM | 2013-12-13 09:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-117 |
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して，堆... [more] | SDM2013-117 pp.7-11 |
| SDM | 2013-12-13 09:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ ○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） SDM2013-118 |
本研究ではpin Thin-Film Photo-Transistor (TFPT)の電流電圧特性の照度依存性と、pol... [more] | SDM2013-118 pp.13-18 |
| SDM | 2013-12-13 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-119 |
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] | SDM2013-119 pp.19-23 |
| SDM | 2013-12-13 10:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池 ○若宮彰太・小林孝裕・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） SDM2013-120 |
[more] | SDM2013-120 pp.25-29 |
| SDM | 2013-12-13 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-121 |
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にド... [more] | SDM2013-121 pp.31-35 |
| SDM | 2013-12-13 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 ○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） SDM2013-122 |
レーザードーピングはフォトリソグラフィーなどによるマスクなしで簡便に局所的な不純物ドープが可能であるため，セレクティブエ... [more] | SDM2013-122 pp.37-41 |
| SDM | 2013-12-13 11:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 ○井上雅志・松田時宜・木村 睦（龍谷大） SDM2013-123 |
本研究では、Poly-Si TFTを用いたゲートアレイの設計開発を行った。今回は、相補型インバータとNAND、NORを実... [more] | SDM2013-123 pp.43-47 |
| SDM | 2013-12-13 11:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大） SDM2013-124 |
高誘電率ゲート絶縁膜は，低温多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の性能向上のためのテクノロジ・ブースタ... [more] | SDM2013-124 pp.49-53 |
| SDM | 2013-12-13 13:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ［招待講演］BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用 ○野口 隆・岡田竜弥（琉球大） SDM2013-125 |
[more] | SDM2013-125 pp.55-59 |
| SDM | 2013-12-13 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ ○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大） SDM2013-126 |
a-Ge, a-SiGe 膜の軟 X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge 膜において蓄積リング電... [more] | SDM2013-126 pp.61-66 |
| SDM | 2013-12-13 13:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 ○部家 彰・草壁 史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口 隆（琉球大） SDM2013-127 |
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] | SDM2013-127 pp.67-72 |
| SDM | 2013-12-13 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 ○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川 祥（鳥取大） |
我々はCu/HfO2/PtのConducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM... [more] | |
| SDM | 2013-12-13 14:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 ○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） SDM2013-129 |
導電性ブリッジ型Random Access Memory (CB-RAM)のメモリ層である酸化物多結晶薄膜をナノ多孔質体... [more] | SDM2013-129 pp.79-83 |
| SDM | 2013-12-13 15:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ［招待講演］グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ ○上野祐子・古川一暁（NTT） SDM2013-128 |
私たちが独自に考案した酸化グラフェンアプタセンサは，基板に固定した酸化グラフェン(GO)の表面を，蛍光標識したアプタマで... [more] | SDM2013-128 pp.73-78 |
| SDM | 2013-12-13 15:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明 ○由良 翔（鳥取大）・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・中田謙吾・石井 晃（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
[more] | |
| SDM | 2013-12-13 16:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 ○吉原幹貴・緒方涼介・村山直寛（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
[more] | |
| SDM | 2013-12-13 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング ○渡辺和貴・山口正樹・西川宏之（芝浦工大） SDM2013-130 |
本研究では，非鉛系強誘電体材料の一つであるチタン酸ビスマス(Bi4Ti3O12，BIT)において，ポリビニルピロリドン(... [more] | SDM2013-130 pp.85-89 |
| SDM | 2013-12-13 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-131 |
強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断... [more] | SDM2013-131 pp.91-96 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
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