5月14日(木) 午後  13:30 - 17:05
(1)	13:30-13:55	青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ED2009-18 CPM2009-8 SDM2009-8	○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大）
(2)	13:55-14:20	青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価 ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9	○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大）
(3)	14:20-14:45	RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果 ED2009-20 CPM2009-10 SDM2009-10	○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大）
(4)	14:45-15:10	Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11	○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大）
	15:10-15:25	休憩　（ 15分 ）
(5)	15:25-15:50	RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性 ED2009-22 CPM2009-12 SDM2009-12	○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境　哲也・星　陽一（東京工芸大）
(6)	15:50-16:15	A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13	○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）
(7)	16:15-16:40	第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14	○中島佑基・市村正也（名工大）
(8)	16:40-17:05	Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15	○Akihiko Hiroe・Tetsuya Goto・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
5月15日(金) 午前  09:00 - 11:45
(9)	09:00-09:25	Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method ED2009-26 CPM2009-16 SDM2009-16	○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(10)	09:25-09:50	Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17	○山口雅史・白　知鉉・市橋弘英・堀内　功（名大）・澤木宣彦（愛知工大）
(11)	09:50-10:15	Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP ED2009-28 CPM2009-18 SDM2009-18	○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
	10:15-10:30	休憩　（ 15分 ）
(12)	10:30-10:55	MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19	○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野　泰（静岡大）
(13)	10:55-11:20	p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20	○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
(14)	11:20-11:45	自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21	○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
5月15日(金) 午後  13:00 - 14:40
(15)	13:00-13:25	AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22	○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）
(16)	13:25-13:50	MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23	○馬　ベイ・宮川鈴衣奈・胡　衛国・三宅秀人・平松和政（三重大）
(17)	13:50-14:15	AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24	○田島正文・橋詰　保（北大）
(18)	14:15-14:40	GaNの電気化学酸化による表面制御 ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25	○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰　保（北大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-: engi-u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-: y
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104 E- geba

Last modified: 2009-09-07 15:48:15