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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 上村 喜一 (信州大)
副委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
幹事 清水 英彦 (新潟大), 大庭 直樹 (NTT)
幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大), 今井 欽之 (NTT)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2009年 5月14日(木) 13:30 - 17:05
2009年 5月15日(金) 09:00 - 14:40
議題 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
会場名 豊橋技術科学大学 サテライトオフィス(テクノスU) 
住所 豊橋市松葉町2-10
交通案内 豊橋駅より徒歩約5分
https://www.ieice.org/~ed/jpn/access%20tecknos-U.pdf
会場世話人
連絡先
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 若原昭浩
お知らせ ◎5月14日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月14日(木) 午後 
13:30 - 17:05
(1) 13:30-13:55 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ED2009-18 CPM2009-8 SDM2009-8 以西雅章倉地雄史山田典史武内俊憲宝珍敬志静岡大
(2) 13:55-14:20 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9 山田典史宝珍敬志以西雅章静岡大
(3) 14:20-14:45 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果 ED2009-20 CPM2009-10 SDM2009-10 細川貴之関川智士以西雅章静岡大
(4) 14:45-15:10 Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 茅野真也堀内郁志以西雅章静岡大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(5) 15:25-15:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性 ED2009-22 CPM2009-12 SDM2009-12 伊藤達也遠藤立弥以西雅章静岡大)・境 哲也星 陽一東京工芸大
(6) 15:50-16:15 A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 Asraf M. Abdel HaleemMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.
(7) 16:15-16:40 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 中島佑基市村正也名工大
(8) 16:40-17:05 Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 Akihiko HiroeTetsuya GotoAkinobu TeramotoTadahiro OhmiTohoku Univ.
5月15日(金) 午前 
09:00 - 11:45
(9) 09:00-09:25 Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method ED2009-26 CPM2009-16 SDM2009-16 Govindasamy RajeshHisashi MoriiToru AokiTadanobu KoyamaYoshimi MomoseAkira TanakaShizuoka Univ.)・Tetsuo OzawaShizuoka Inst. of Science and Tech.)・Yuko InatomiJAXA)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(10) 09:25-09:50 Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 山口雅史白 知鉉市橋弘英堀内 功名大)・澤木宣彦愛知工大
(11) 09:50-10:15 Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP ED2009-28 CPM2009-18 SDM2009-18 Mouleeswaran Deivasigamani.Tadanobu KoyamaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
  10:15-10:30 休憩 ( 15分 )
(12) 10:30-10:55 MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 高木達也岡本拓也福家俊郎高野 泰静岡大
(13) 10:55-11:20 p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 光吉三郎梅野和行浦上法之岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
(14) 11:20-11:45 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 浦上法之野間亮佑梅野和行光吉三郎岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
5月15日(金) 午後 
13:00 - 14:40
(15) 13:00-13:25 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクス
(16) 13:25-13:50 MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 馬 ベイ宮川鈴衣奈胡 衛国三宅秀人平松和政三重大
(17) 13:50-14:15 AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 田島正文橋詰 保北大
(18) 14:15-14:40 GaNの電気化学酸化による表面制御 ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25 原田脩央塩崎奈々子橋詰 保北大

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E--mail: engi-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E--mail: y 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E--mail geba 


Last modified: 2009-09-07 15:48:15


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