12月13日(金) 午前  09:00 - 18:00
(1)	09:00-09:20	パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 SDM2013-116	○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川　哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田　守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
(2)	09:20-09:40	高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 SDM2013-117	○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
(3)	09:40-10:00	多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ SDM2013-118	○大山翔平・松村　篤・門目尭之・田中　匠・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(4)	10:00-10:20	インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 SDM2013-119	○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷　あゆみ・石河泰明・冬木　隆（奈良先端大）
(5)	10:20-10:40	キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池 SDM2013-120	○若宮彰太・小林孝裕・松尾直人・部家　彰（兵庫県立大）
(6)	10:40-11:00	レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 SDM2013-121	○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木　隆（奈良先端大）
(7)	11:00-11:20	リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 SDM2013-122	○岡村隆徳・西村英紀・冬木　隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）
(8)	11:20-11:40	Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 SDM2013-123	○井上雅志・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(9)	11:40-12:00	スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT SDM2013-124	○目黒達也・原　明人（東北学院大）
	12:00-13:00	休憩　（ 60分 ）
(10)	13:00-13:30	［招待講演］BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用 SDM2013-125	○野口　隆・岡田竜弥（琉球大）
(11)	13:30-13:50	軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ SDM2013-126	○草壁　史・丸山裕樹・部家　彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋　誠（阪大）
(12)	13:50-14:10	軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 SDM2013-127	○部家　彰・草壁　史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口　隆（琉球大）
(13)	14:10-14:40	［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案	○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川　祥（鳥取大）
(14)	14:40-15:00	Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 SDM2013-129	○長谷川　祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田　悟・木下健太郎（鳥取大）
	15:00-15:10	休憩　（ 10分 ）
(15)	15:10-15:40	［招待講演］グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ SDM2013-128	○上野祐子・古川一暁（NTT）
(16)	15:40-16:00	第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明	○由良　翔（鳥取大）・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・中田謙吾・石井　晃（鳥取大）・岸田　悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC）
(17)	16:00-16:20	遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性	○吉原幹貴・緒方涼介・村山直寛（鳥取大）・岸田　悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC）
(18)	16:20-16:40	誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング SDM2013-130	○渡辺和貴・山口正樹・西川宏之（芝浦工大）
(19)	16:40-17:00	長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 SDM2013-131	○田中　一・森　誠悟・森岡直也・須田　淳・木本恒暢（京大）
(20)	17:00-17:20	界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 SDM2013-132	○金藤夏子・矢野裕司・大澤　愛・畑山智亮・冬木　隆（奈良先端大）
(21)	17:20-17:40	コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 SDM2013-133	○中澤成哉・南園悠一郎・須田　淳・木本恒暢（京大）
(22)	17:40-18:00	三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 SDM2013-134	○堀　良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木　隆（奈良先端大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2013-11-30 22:00:50