6月15日(金) 午後  13:00 - 17:30
(1)	13:00-13:25	低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET ED2007-31	○渡邉昌崇・福士大地・矢野　浩・中島　成（ユーディナデバイス）
(2)	13:25-13:50	ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ED2007-32	○天清宗山・井上　晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥　友希・石川高英（三菱電機）
(3)	13:50-14:15	デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 ED2007-33	○J.p. Noh・鄭　大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大）
	14:15-14:25	休憩　（ 10分 ）
(4)	14:25-14:50	InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ED2007-34	○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大）
(5)	14:50-15:15	2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ED2007-35	○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村　悠・森　雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大）
(6)	15:15-15:40	Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 ED2007-36	○斉藤光史・森　雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大）
	15:40-15:50	休憩　（ 10分 ）
(7)	15:50-16:15	コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ED2007-37	○高橋新之助・三浦　司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）
(8)	16:15-16:40	MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ED2007-38	○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林　隆（NTT）
(9)	16:40-17:05	共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ED2007-39	○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京）
(10)	17:05-17:30	導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 ED2007-40	○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大）
6月16日(土) 午前  09:30 - 12:25
(11)	09:30-10:10	［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ED2007-41	○塩島謙次（福井大）
(12)	10:10-10:35	光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 ED2007-42	○塩崎奈々子・橋詰　保（北大）
(13)	10:35-11:00	AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ED2007-43	○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）
(14)	11:00-11:25	低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ED2007-44	○野本一貴・田島　卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村　徹（法政大）
	11:25-11:35	休憩　（ 10分 ）
(15)	11:35-12:00	Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 ED2007-45	○佐藤政孝・宮川晋悟・工藤尚宏・永田翔平・田島　卓・中村　徹（法政大）
(16)	12:00-12:25	バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ED2007-46	○小野修一・新井　学（新日本無線）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	田中 毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-: erlci 新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-: injr 高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl 村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl

Last modified: 2007-04-26 21:39:47